介电常数测试仪 介电常数介质损耗测试仪 GDAT-A

电介质是电的绝缘体，它内部的自由电荷少到可以忽略的程度。由于分子内在力的约束，电介质分子中的带电粒子不能发生宏观的位移。然而在外电场的作用下，这些带电粒子仍然可以有微观的位移，即电介质可以被极化，χe就表示电介质的极化率，它反映了电介质的性质。对电介质中各点的χe都相同，真空中χe=0，而除此之外任何介质的χe0。
　　在电容器的两个极板之间充入电介质，可以使电容器增大，实用中常利用这种方法增大电容器的电容。两极板间充满某种均匀介质时的电容C与极板间为真空时的电容C0的比值εr=C/C0，εr由电介质的性质决定，叫做电介质的相对介电常数（没有单位）。
　　在有理化米,千克,秒,安培制（MKSA有理制）中，通常引入ε0代替k（k=8.9880×109N·m2·C-2），令k=1/4πε0，则ε0=1/4πk。ε0为真空中的介电常数，数值为8.8538×10-12C2·N-1·m-2=8.8538×10-12F·m-1，约为8.85×10-12F·m-1。以平行板电容器为例，C0=ε0S/d，相对介电常数εr=C/C0，所以C=εrC0=εrε0S/d。定义ε=εrε0，则ε叫做电介质的介电常数。

介电常数介质损耗测试仪特点：

◎ 本公司创新的自动Q值保持技术，使测Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能对固体绝缘材料在10kHz～120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

◎ 调谐回路残余电感值低至8nH，保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。

◎ 特制LCD屏菜单式显示多参数：Q值，测试频率，调谐状态等。

◎ Q值量程自动/手动量程控制。

◎ DPLL合成发生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz测试信号。独立信号源输出口，所以本机又是一台合成信号源。

◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。

介电常数和介质损耗测试仪工作频率范围是10kHz～120MHz,它能完成工作频率内材料的高频介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。

本仪器中测试装置是由平板电容器和测微圆筒线性电容器组成，平板电容器一般用来夹被测样品，配用Q表作为指示仪器。

绝缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放入平板电容器和不放样品的Q值变化和厚度的刻度读数通过公式计算得到。

同样，由测微圆筒线性电容器的电容量读数变化，通过公式计算得到介电常数。

介电常数介质损耗测试仪主要技术指标：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固体绝缘材料测试频率10kHz～120MHz的tanδ和ε变化的测试。

2.1.2 tanδ和ε测量范围：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε测量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作频率范围：50kHz～50MHz 四位数显，压控振荡器

Q值测量范围：1～1000三位数显，±1Q分辨率

可调电容范围：40～500 pF ΔC±3pF

电容测量误差：±1%±1pF

Q表残余电感值：约20nH

介电常数介质损耗测试仪装置：

2.3.1 平板电容器极片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二种.
2.3.2 平板电容器间距可调范围和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圆筒电容器线性： 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圆筒电容器可调范围：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 装置插头间距：25mm±0.1mm
2.3.6 装置损耗角正切值:≤2.5×10-4

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