TEM的总结

穿透式电子显微镜，在真空系统下利用电子光束产生之电子束通过一晶体薄膜，平行于入射线之晶面会产生绕射在绕射图中绕射束

与直接穿透电子束点间之距离刚好反比于某晶面间距，由不同之绕射图形，可决定晶格常数及晶体格子结构，是研究材料内部结构很有利之工具。

一般基本穿透式电子显微镜（TEM）的结构分为：灯丝、电子光束、加速电场、会聚透境、物镜、试片座、中间透镜、投射透镜、萤幕室等。

另外，还可加装X光能量发散光谱分析仪（x-ray energy dispersive spectrometer；XEDS）和电子能量损失光谱分析仪

（electron energy loss spectrometer；EELS）。目前较大众常用的为STEM与HRTEM，因为分析功能强且解析度高。

特点与限制：由于TEM具备超高解像能力,在一般影像观察上即比其他分析工具*许多, 而依实际操作时可放大的倍率范围来看,

TEM也具有相当大的弹性,应用到半导体材料研究。TEM分析具有以下的优点：

（a）在形象观察方面, 对材料有敏锐的分析力：（1）晶粒方向。（2）同质异型结构。 （3）异质异型结构。 （4）同质同型结构。

（b）原子结构的观察–晶格影像

（c）搭配试片基座的倾斜功能，可以进行结构性缺陷的特性分析: （1）离子佈值后的残馀缺陷。 （2）制程的损伤。（3）结构性加强的缺陷增长。

（d）藉着电子绕射图样分析，在试片观察时拥有方向感可以确认：（1）晶体结构 （FCC, BCC, HCP, …）。 （2）化学组成

（e）在有限厚度内的多层次结构具有透视能力，能得到重叠影像–商用产品分析的逆向工程。

（f）配备冷却/加热/可变电性的试片基座，即可在显微镜内同步观察材料结构的变化。

TEM分析也有其限制，缺点包括：

（a）试片的大小必须在3mm以下。

（b）基于电子束有限的穿透力，通常理想的观察厚度在500-1000?之间。

（c）试片制备的难度颇高，薄区有限。

（d）精準的定点观察时，试片制备困难度高，成功率相对降低。

（e）样品处理通常有下列几种方法：（1）切割薄片法：用于生物体。 （2）劈裂法：用于玻璃，取其薄的裂缘。 

（3）粉粹微粒法：用于陶瓷、玻璃等瓷碎的材料。 （4）化学腐蚀法：用于玻璃、陶瓷、金属。 （5）电解打薄法：用于金属。 （6）研磨+离子数打薄法：如前述。与其他分析方法比较，TEM分析是一种破坏性分析。

参考资料:http://www.sgaaa.com/
显微镜 ， 金相显微镜 ，工业投影仪 常识