Super Yellow,Mn11w Mw48w共聚物
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3-1-1-2 的3/LiF/Al 接口。我们发现使用稀释的氢氧化钠溶液处理的 MoO 具有相对较低的电离能 (IA)、电子亲和力 (EA) 和功函数随着 MoO 厚度的增加而降低。然而,光学带隙随着自旋速度的增加而增加。在 SY-PPY 和 MoO 深层价带之间总是存在一个大的能量势垒。这是通过抑制空穴器件中的空穴电流来支持的。薄 MoO (~2 nm) 作为空穴阻挡层同时允许电子穿过层传输的能力和大的向上真空位移似乎是当 MoO 时 SY-PPV 发光二管效率提的起源使用 /LiF/Al。
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