脑外伤打击装置,自由落体打击器、液压打击器、CCI现货

VCU创伤性颅脑损伤仪

创伤性脑损伤（traumatic brain injury，TBI）是神经外科Z常见的疾病，是导致创伤患者伤残及死亡的主要原因。研究脑损伤后的神经生化、神经病理生理等方面的变化，可为探索行之有效的脑保护治疗提供帮助，将有助于提高颅脑损伤患者的生存率及生存质量。故建立各种便于观察和施加干预因素、控制性佳、可分级、可复制性好并符合人类脑创伤特点的创伤性脑损伤模型，是目前创伤性

细胞损伤控制仪（CIC）

细胞损伤控制仪（Cell Injury Controller II）采取电子式控制，适合脑源性细胞培养样品，或其它离体培养细胞的牵张性（strain-induced trauma）损伤模型制作。损伤后可进行神经生化、形态学、生理学，药物干预等方面的研究。细胞损伤控制仪使用Flexcell Int’l corp具有的组织培养系统。细胞损伤控制仪平均把压缩气体送到每个培养室，以造成培养组织牵张性的损伤，损伤的严重程度是依靠控制进出密闭培养室的气体量。培养室的峰值压力同时被记录下来，这个数值可以用来地表明引起牵张性细胞损伤的气压值。细胞损伤控制仪（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (针对VCU早期的细胞损伤控制仪)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因为根据所采用的细胞种类、损伤的程度、培养的状况，受损后的细胞或许会因为上述因素死亡或修复，所以VCU的细胞损伤控制仪(CIC II)很适合应用在下列损伤反应研究：细胞受损、修护，死亡，药物介入。