德国P+F倍加福对射型光电传感器
对射型光电传感器发射器与接收器位于独立的两个壳体中。发射器发送的光直接被接收器接收。如果物体遮住了光束，开关功能触发。
德国P+F倍加福对射型光电传感器
对射型光电传感器发射器与接收器位于独立的两个壳体中。发射器发送的光直接被接收器接收。如果物体遮住了光束，开关功能触发。
对射型光电传感器常用于远距离检测，稳定性好，能量强。对射型光电传感器的特性也决定了它适用于多尘和较脏的工业环境。
监测生产以及包装流水线
通过透明的外包装检测产品灌装情况
保护自动门的危险区域
P+F传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。近年来，新的光电器件不断涌现，特别是CCD图像传感器的诞生，为P+F传感器的进一步应用开创了新的一页。
P+F接近传感器基本品种：NBB,NBN,NEB,NCB,NJ,SJ,FJ,RJ,NMB
常用型号如下：NBN40-L2-E2-V1 NBN40-L2-A2-V1 NBN8-18GM50-E2-V1 连接插头V1-G
NBN4-12GM50-E2-V1
NJ4-12GM40-E2
NBB2-12GM50-E2
NJ5-18GM-N
NBB2-12GM50-E0-V1
NBN5-F7-E2
NBN5-F7-E0
NJ4-12GM40-E2-V1
NJ40+U1+W
NBB2-12GM50-E2-V1
NBN8-18GM50-E0
NJ8-18GM-N
NBB4-12GM50-E0-V1
NBN8-18GM50-E2
NJ15+U1+E2
NBB4-12GM50-E2-V1
NBN8-18GM50-E0-V1
NJ15+U1+W
NBB5-18GM50-E0
NBN8-18GM50-E2-V1
NJ20+U1+E2
NBB5-18GM50-E2
NBN8-18GM40-Z0
NJ20+U1+W
NBB10-30GM50-E0
NBN8-18GM60-WS
NJ30+U1+W
NBB10-30GM50-E2
NBN8-18GM60-WO
NJ30+U1+E2
NBB15-30GM50-WS
NBN15-30GM50-E2
NJ1.5-8GM-N
NBB15-30GM50-WO
NBN15-30GM50-E0
NJ2-12GM-N
NBB20-L2-E2-V1
NBN15-30GM40-Z0
NJ4-12GM-N
NBN4-12GM50-E0-V1
NBN4-12GM50-E2
LVL-T1-G3S-E5PG-NA
LVL-T1-G3S-E5PG-NA
NBN4-12GM50-E0
NCN25-F35-A2-250-V1
德国P+F倍加福压阻式传感器
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感 材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用zui为普遍。
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