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产品介绍
射频ICP薄膜沉积装置型号:ZH5495 | 货号:ZH5495 |
产品简介 本装置主要由薄膜沉积室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统等部分组成。 通过本实验装置可以掌握CVD(化学气相沉积);理解CVD的成膜过程及要求,化学输运反应的原理,等离子体CV表面粗糙度样板D的原理、特点及等离子体的激励方式;了解该在电学、光学、微电子学等领域的广阔应用前景。 可开设的实验 1、P型微晶硅材料及在薄膜太阳能电池上的应用; 2、硅系纳米复合薄膜材料PCVD法制备; 3、电容耦合/电感耦合等离子体化学气相沉积制备种功能薄膜。 主要参数 1、薄膜沉积室:由不锈钢底与玻璃钟罩组成;尺寸:Φ220×H230mm; 2、薄膜沉积室本底真空: ≤1Pa; 3、射频耦合方式:电容耦合/电感耦合;射频源功率:带500W 13.56MHz; 4、气路系统:由三路转子流量计控制(可选配流量计); 5、衬底加热温度:烧结车扫描测温云台室温至300℃可控; 6、平行板电:Φ70mm; 7、工作反应气体:由电板上微孔均匀导入; 8、真空抽气系统:2XZ-4型旋片机械泵,4L/S,单相220V交流电源供电; 9、管道、阀门:材质使用不锈钢和金属波纹管; 10、对过流过压、断路等异常情况进行报警,并执行相应保护措施; 11、供电电源:AC220V,50Hz,整机功率2KW。 www.centrwin.com | ![]() |