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射频ICP薄膜沉积装置型号:ZH5495
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访问次数:1339更新时间:2024-11-23 07:56:45

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产品简介
本装置主要由薄膜沉积室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统等部分组成。
产品介绍

射频ICP薄膜沉积装置型号:ZH5495
 
货号:ZH5495

  本装置主要由薄膜沉积室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统等部分组成。
  通过本实验装置可以掌握CVD(化学气相沉积);理解CVD的成膜过程及要求,化学输运反应的原理,等离子体CV表面粗糙度样板D的原理、特点及等离子体的激励方式;了解该在电学、光学、微电子学等领域的广阔应用前景。
可开设的实验
1、P型微晶硅材料及在薄膜太阳能电池上的应用;
2、硅系纳米复合薄膜材料PCVD法制备;
3、电容耦合/电感耦合等离子体化学气相沉积制备种功能薄膜。
主要参数
1、薄膜沉积室:由不锈钢底与玻璃钟罩组成;尺寸:Φ220×H230mm;
2、薄膜沉积室本底真空: ≤1Pa;
3、射频耦合方式:电容耦合/电感耦合;射频源功率:带500W  13.56MHz;
4、气路系统:由三路转子流量计控制(可选配流量计);
5、衬底加热温度:烧结车扫描测温云台室温至300℃可控;
6、平行板电:Φ70mm;
7、工作反应气体:由电板上微孔均匀导入;
8、真空抽气系统:2XZ-4型旋片机械泵,4L/S,单相220V交流电源供电;
9、管道、阀门:材质使用不锈钢和金属波纹管;
10、对过流过压、断路等异常情况进行报警,并执行相应保护措施;
11、供电电源:AC220V,50Hz,整机功率2KW。
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