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中美合资合肥科晶材料技术有限公司
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目录:中美合资合肥科晶材料技术有限公司>>晶体产品>>A-Z系列晶体列表>> GaP晶体基片
更新时间:2024-02-22 11:15:36浏览次数:1243评价
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产品简介
详细介绍
产品名称:
磷化镓(GaP)晶体基片
技术参数:
晶体结构:
立方 a =5.4505 ?
生长方法:
提拉法
密度:
4.13 g/cm3
熔点:
1480 oC
热膨胀系数:
5.3 x10-6 / oC
掺杂物质:
掺S 不掺杂
方向:
<111>or<100> <100>or<111>
类型:
N N
热传导率:
2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3
电阻率W.cm
~0.03 ~0.3
EPD (cm-2 )
< 3x105 < 3x105
产品规格:
晶体方向:<111>,<100>±0.5o ;
常规尺寸:dia2"x0.35mm ;dia2"x0.43mm;dia3"x0.3mm ;
标准包装:
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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