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晶圆上的光刻胶残留和有机污染物的可视化

阅读:976      发布时间:2024-08-22
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对更强大、更快速的电子设备(智能手机、计算机、平板电脑、显示器等)的需求不断增长,这推动了集成电路(IC)芯片 和半导体组件的图案尺寸缩小到10纳米以下[1-3]。为了实现更小的纳米级尺寸,紫外光刻图案化步骤的数量已经增加,随 之而来的是刻蚀过程中的缺陷和有机污染的可能性增加[2]。这种残留污染可能对工艺控制、产量以及电子组件的性能和可 靠性产生负面影响。


在半导体加工过程中,需要使用光刻胶来对晶圆进行刻蚀。一旦刻蚀形成,就必须去除光刻胶以进行进一步的加工,但通常 会留下光刻胶残留物和其他有机污染物。在晶圆、掩模、垫片和半导体组件的表面上可以发现许多不同类型的有机污染物。 典型的例子包括光刻胶残留物、外来有机颗粒和液体、灰尘以及来自材料的纤维。另一个常见的有机污染源是人体头发、皮 简介 对更强大、更快速的电子设备(智能手机、计算机、平板电脑、显示器等)的需求不断增长,这推动了集成电路(IC)芯片 和半导体组件的图案尺寸缩小到10纳米以下[1-3]。为了实现更小的纳米级尺寸,紫外光刻图案化步骤的数量已经增加,随 之而来的是刻蚀过程中的缺陷和有机污染的可能性增加[2]。这种残留污染可能对工艺控制、产量以及电子组件的性能和可 靠性产生负面影响。 肤碎屑和来自皮肤的油脂物质。


因此,随着半导体图案尺寸的缩小和集成电路(IC)制造量的增加,晶圆表面上的光刻胶残留物和有机污染物问题变得越来 越严重。IC的密度在增加,因此在生产过程中保持清洁表面至关重要。光学显微镜通常用于晶圆检查,并且在生产过程中高 效地可视化少量残留污染物方面,相比于明场或暗场等其他照明方法,荧光显微镜具有优势[4] 在半导体加工过程中,需要使用光刻胶来对晶圆进行刻蚀。一旦刻蚀形成,就必须去除光刻胶以进行进一步的加工,但通常 会留下光刻胶残留物和其他有机污染物。在晶圆、掩模、垫片和半导体组件的表面上可以发现许多不同类型的有机污染物。 典型的例子包括光刻胶残留物、外来有机颗粒和液体、灰尘以及来自材料的纤维。另一个常见的有机污染源是人体头发、皮 简介 对更强大、更快速的电子设备(智能手机、计算机、平板电脑、显示器等)的需求不断增长,这推动了集成电路(IC)芯片 和半导体组件的图案尺寸缩小到10纳米以下[1-3]。为了实现更小的纳米级尺寸,紫外光刻图案化步骤的数量已经增加,随 之而来的是刻蚀过程中的缺陷和有机污染的可能性增加[2]。这种残留污染可能对工艺控制、产量以及电子组件的性能和可 靠性产生负面影响。 肤碎屑和来自皮肤的油脂物质。

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徕卡显微系统(上海)贸易有限公司

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