等离子体增强化学气相沉积系统 返回列表页

等离子体增强化学气相沉积系统是采用PECVD技术专业为介质膜镀膜设计的化学气相沉积设备。
等离子体增强化学气相沉积系统通过优化供气系统，改进了较小的反应堆体积，可显著提高工艺的均匀性和再现性，并减少泵送时间。

由于可以方便地访问所有内部组件，因此

等离子体增强化学气相沉积系统的日常维护变得更加容易。特殊的底电极设计，为PECVD提供了红外高温计精确的晶片加热控制。
等离子体增强化学气相沉积系统等离子体产生采用带自动匹配单元的平板式ICP源。晶圆放在加热的工作台电极上，在这里可以施加高达600W的RF（13,56 MHz）或LF（300÷500 kHz）偏置电压。在ICP模式下，在加热台上使用低频电势，确保了在沉积过程中调节介质膜张力的额外可能性。
等离子体增强化学气相沉积系统规格参数

工艺过程反应器中的极限压力:<5×10

^-6Torr

一次性处理晶圆数量：：7个@2'', 4个@3'', 1个×∅200mm, 1个@∅150mm 1个@∅100mm

ICP发生器最大功率：1200W @13.56MHz

离子束粒（离子能20~300eV): 可选配

衬底支架倾斜180度：  可选配

蚀刻不均性：+/-1% (从中心位置到边缘,∅100mm）

过程：自动化把晶圆转移到反应器中。