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单颗粒ICP-MS测定化学-机械整平中使用的元素氧化物纳米颗粒悬浮物的特性
检测样品：纳米元素氧化物纳米颗粒检测项目：定量和表征纳米元素氧化物纳米颗粒
方案概述：本研究概述了定量和表征纳米元素氧化物纳米颗粒（氧化铝和氧化铈），这些常用于纳米电子学和半导体制造行业中化学-机械（CMP）半导体表面的平整。CMP是一个结合了化学和机械外力平滑平面的过程，此步骤为光刻作准备。
本研究概述了定量和表征纳米元素氧化物纳米颗粒（氧化铝和氧化铈），这些常用于纳米电子学和半导体制造行业中化学-机械 (CMP)半导体表面的平整。CMP是一个结合了化学和机械外力平滑平面的过程，此步骤为光刻作准备。
在半导体元器件制造中，CMP过程使用各种元素氧化物悬浮物和压力，使化学和机械地抛光硅晶片。为降低电子设备尺寸和改善制造过程的产量，现在所使用的CMP悬浮物由纳米颗粒组成。
CMP悬浮物纳米粒子的尺寸分布特征，以及大颗粒的辨别，是光刻过程的质量控制的重要方面，可能会影响到硅晶片的质量。单颗粒模式ICP-MS（SP-ICP-MS）是分析金属纳米粒子的最有前途的技术之一。由于具有测量可溶分析物浓度和单个纳米粒子， ICP-MS是一种用于分析半导体工业领域中各种分析物的理想仪器。
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