Purity:>99.995%
纯进口HQ graphene 硫化铌晶体
参考价 | ¥ 10300 |
订货量 | ≥1件 |
- 公司名称 上海基屹生物科技有限公司
- 品牌 先丰纳米
- 型号
- 产地
- 厂商性质 生产厂家
- 更新时间 2025/5/23 12:53:20
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供货周期 | 一个月 | 规格 | 盒 |
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货号 | 101279 |
产品名称
中文名称: 纯进口HQ graphene 硫化铌晶体
英文名称:HQ graphene NbS2 Crystal
产品概述
NbS2 (2H相)是具有Tc ~6K和电荷密度波(CDW)体系的超导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。NbS2属于v族过渡金属二硫族(TMDC)。
NbS2 (2H phase) is superconductor with a Tc ~6K and a charge density waves (CDW) system. Note that NbS2 also exists in the 3R-NbS2 phase .The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. NbS2 belongs to the group-V transition metal dichalcogenides (TMDC).
The 2H NbS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.2 cm, trigonal/hexagonal shaped and have a metallic appearance.
技术参数
纯度: 99.995%
尺寸:~2mm
颜色: 灰黑色
产品特点
Electrical properties:Superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°
Type:Synthetic
应用领域
在电子学领域:
场效应晶体管(FET):硒化铟晶体由于其电学特性,如高载流子迁移率,可用于制造高性能的场效应晶体管。例如,在柔性电子设备中,基于硒化铟晶体的 FET 能够实现高效的信号传输和处理。
存储器:其电阻可在不同条件下发生变化,这使得它有望应用于非易失性存储器,如阻变存储器(RRAM)。比如,在一些高密度存储芯片中,硒化铟晶体可以作为存储单元,实现快速的数据读写和长期的数据保存。
在光电领域:
光电探测器:对光具有较好的响应,可用于制造高性能的光电探测器。例如,在红外光探测中,硒化铟晶体能够将光信号转换为电信号,应用于安防监控系统或通信系统。
太阳能电池:作为太阳能电池的吸收层材料,能够有效地吸收太阳光并转化为电能。比如,在新型薄膜太阳能电池中,硒化铟晶体可以提高电池的光电转换效率。
在传感器领域:
气体传感器:对某些特定气体具有敏感性,可用于制造气体传感器来检测环境中的有害气体。例如,检测一氧化碳、氨气等气体的浓度变化。
在纳米技术领域:
纳米器件:由于其在纳米尺度下的特殊性质,可用于构建纳米级别的电子和光电子器件。比如,利用硒化铟晶体制造纳米级的场效应晶体管,实现更小尺寸和更高性能的纳米电路。