PlasmaPro 100 Cobra ICP 电感耦合等离子体刻蚀

1. 产品概述

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场域。

高刻蚀速率和高选择性

低损伤刻蚀和高可重复性加工

单晶圆装载锁定或可与多达5个工艺模块集群

He背面冷却，以实现佳温度控制

宽温度范围电，-150°C至400°C

与所有大尺寸为200毫米的晶圆兼容

晶圆尺寸之间的快速转换

原位腔室清洁和终点控制功能

2. 特色参数

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场域。

晶圆尺寸：大可达200mm

ICP源尺寸可选：65mm和300mm

温度范围：从-150°C到400°C

集群：多达5个模块，包括 ALD、PECVD、离子束刻蚀和离子束沉积等技术