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化工仪器网>产品展厅>半导体行业专用仪器>薄膜生长设备>化学气相沉积设备>PECVD 高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统

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PECVD 高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积系统

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深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。

致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。

公司目前已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。










冷热台,快速退火炉,光刻机,纳米压印、磁控溅射,电子束蒸发

产品概述:
系统主要由3个真空沉积室(分别沉积P、I、N结)、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。

设备用途:
团簇型等离子体化学气相沉积设备(PECVD),采用等离子体增强化学气相沉积技术,在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同衬底材料上,沉积氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜,可以制备非晶硅、微晶硅薄膜太阳能电池器件。

真空室结构:
1个中央传输室:蝶形结构;3个沉积室:方形结构; 1个进样室:方形结构


真空室尺寸:
中央传输室:Φ1000×280mm ; 沉积室:260×260×280mm ;进样室:300×300×300mm


极限真空度:
中央传输室:6.67E-4 Pa;沉积室:6.67E-6 Pa ;进样室:6.67 Pa


沉积源:


样品尺寸,温度:
114X114X3mm, 加热温度350度,机械手传递样品


占地面积(长x宽x高):
约13米x9米x2.3米(设计待定)


电控描述:
全自动


工艺:
在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%


特色参数 :
共有8路工作气体






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