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LSD4 雷射扫描缺陷图谱仪

具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称 光焱科技股份有限公司
  • 品牌 Enlitech
  • 型号 LSD4
  • 产地
  • 厂商性质 生产厂家
  • 更新时间 2025/3/14 11:49:44
  • 访问次数 2330

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光焱科技股份有限公司介绍

 

Enlitech光焱科技创建于2009年,专精量子效率(Quantum Efficiency/ SR/ IPCE)测量,从事科学仪器的研发、客制化生产并提供客户一站式解决方案及服务。

 

  • R&D 创新研发、技术整合、客户端解决方案

 

在日新月异的太阳能光伏/半导体/材料科学/化学领域中,为客户预先提供“下一步”解决方案,帮助客户实现在科学研究、技术和产业领域的专业和创新突破。我们拥有光学技术、机构设计、电子与电控技术整合、软体与资料库设计开发,根据产业动态、丰富业务经验,为客户提供产品与专案企划、咨询需求到系统运营的整合性服务。成功协助客户在半导体材料、太阳能电池、钙钛矿太阳能电池(Perovskite Solar Cell)、新型材料研究及影像传感器(CMOS Sensor)、相机(含手机相机、工业相机及科学及相机)等领域的研发上取得许多重大突破并获得*成果。

 

  • 钙钛矿太阳能电池(Perovskite Solar Cell)应用服务

 

扩展钙钛矿太阳能电池(Perovskite Solar Cell, PSC)应用领域、提高转换效率,是近年前沿研究的主要课题。近十年,钙钛矿太阳能电池光电转换效率的成长纪录不断刷新世界纪录,目前已达到23.3%,成为太阳能电池领域的新秀!由于钙钛矿太阳电池具有高度不稳定性、衰减速率快等特性,成为研究人员面临的挑战。我们针对钙钛矿太阳能电池的特性,提供涵盖设计、研发、软体、测样、分析管理等测量仪器与整合方案,让客户能有效、准确地测出钙钛矿太阳能电池的转换效率,为客户研究创新带来优势。

 

  • 多元产业应用服务

 

光焱科技将光电检测技术,延伸至半导体、材料科学、LED发光材料、航太应用及生医领域,提供专案研发和实验室仪器配套应用的制造、整合、测试和维护管理供应链服务。服务亦涵盖标定校正设备的客制研发,为科学研究、检测认证、新产品开发、制造生产提供完整可靠的一站式解决方案。

技术与维护服务

 

光焱科技自2012年起陆续在大陆、日本、美国、中东及印度建立销售通路及售后服务据点,我们致力于提供给客户完整的检测分析工具,即时提供合适的解决方案,协力科学研究、助力产业升级创新。我们的标准化产品及专案能依据客户需求进行调整和扩展,服务分为四大类别:

 

*专案解决方案:依据客户需求进行新产品研发/产品升级/系统整合等服务。

 

*One-stop-shop 一站式统合服务:涵盖多元的厂牌合作服务。

 

*维护管理服务:提供维修及产品健检管理服务。

 

*快速支援服务:涵盖售前售后客服支援、技术支援、科研支援服务。

 

QE量子效率测试仪,3A

产地类别 进口 应用领域 能源
价格区间 面议 测量模式 咨询光焱科技专家

产品介绍


4 分钟内掌握全貌,以 50 微米分辨率扫描 100 毫米 x 100 毫米区域


  扫描缺陷成像仪是激光束感应电流(LBIC)测试的升级版本。 它利用波长能量大于半导体能隙的激光光束照射半导体,产生电子-电洞对。 透过快速扫描样品表面,获得揭示内部电流变化的影像分布,以分析各种缺陷分布。 这有助于分析样品制备的质量,并有助于制程改进。

特征


扫描光生电流的分布

扫描光电压分布

扫描开路电压和短路电流的分布

分析表面污染

分析短路区域的 分布

识别和分析微裂纹区域

分析少数载子扩散长度的分布(选用功能)


应用

雷射扫描缺陷图谱仪

硅太阳能电池光电流分布(405 纳米)

雷射扫描缺陷图谱仪雷射扫描缺陷图谱仪

6 英寸硅晶太阳能电池扫描(17 秒)

雷射扫描缺陷图谱仪

钙钛矿太阳能电池

雷射扫描缺陷图谱仪    

LSD4-OPV光响应电流分布图

雷射扫描缺陷图谱仪

LSD4-OPV光响应电流分布图

雷射扫描缺陷图谱仪

分辨率为 50 µm 的非均匀性分析


雷射扫描缺陷图谱仪

母线/栅极纵横比检测(横截面分析)

雷射扫描缺陷图谱仪

     雷射扫描缺陷图谱仪            雷射扫描缺陷图谱仪

高重复性(6次重复)


规格

项目参数说明。
功能A。利用能量高于半导体带隙的波长激光束在半导体中产生电子空穴对,探索耗尽区对内部电流变化的影响,了解和分析各种缺陷分布,作为工艺改进的方向。

b.能够扫描样品表面光生电流的分布。

C。能够扫描样品表面光电压的分布。

d.能够扫描开路电压和短路电流的分布。

e.能够分析表面污染。

F。能够分析短路区域的分布。

G。能够识别和分析微裂纹区域。

H。能够分析少数载流子扩散长度的分布(可选)。
激励源
405 ±10nm 激光
520 ±10nm 激光
635 ±10nm 激光
830 ±10nm 激光
扫描区域≧100mm×100mm
激光光斑尺寸接近TEM00模式点
测绘分辨率
A。扫描分辨率 ≤ 50 µm
b.扫描分辨率可通过软件设置
测绘时间<4分钟(100mm×100mm,分辨率50um)
方面60厘米*60厘米*100厘米
软件A。 LBIC 3D 可视化
b. 2D 横截面分析(电极纵横比)
c.光电流响应分布分析(与长波长激光源结合)
d.数据保存和导出功能











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