PECS II精密刻蚀镀膜仪
| 参考价 | ¥ 10000 |
| 订货量 | ≥1台 |
- 公司名称 上海劳瑞仪器设备有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型号
- 产地
- 厂商性质 代理商
- 更新时间 2024/3/28 15:50:19
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| 产地类别 | 进口 | 应用领域 | 综合 |
|---|
PECS II精密刻蚀镀膜仪
仪器简介：
PECS II精密刻蚀镀膜仪是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设备。
对于同一个样品，可在同一真空环境下完成抛光及镀膜。
一款独立、结构紧凑的台式设备。采用两个宽束氩离子源对样品表面进行抛光， 去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在 SEM， 光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
采用 WhisperLok®技术，可选 配温控液氮冷却台。该功能有助于避免抛光过程 中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化。
PECS II内置了一个 10 英寸的触摸屏。不管新手还是专家级用户，都可提高样品的加工可控性 及可重复性。数码变焦显微镜配合 DigitalMicrograph® 软件，可实现对样品加工过程的实时 监控及储存彩色照片，这便于在SEM中进行样品检查和分析。
性能优点：
WhisperLok 系统： 无需破坏主样品室真空即可装卸样品。
低能聚焦潘宁离子枪：可加工对表面损伤敏感的样品，包括 EBSD和 CL。
能量从0.1 – 8.0 keV可调: 改进低能抛光效果，减少非晶层；提供更高的能量，以提高抛光速度。
液氮样品冷却： 保护样品，避免离子束热损伤，去除可能的假象。
10 英寸触摸屏控制：快速，简便地访问所有的控制参数；无需电脑。
数码变焦显微镜： 实时监控加工过程。
DigitalMicrograph 软件彩照存储： 将存储的光学图像与其他分析系统的数据做关联分析。
溅射沉积： 溅射靶材至样品表面，防止样品在 SEM/FIB 中发生荷电。
主要应用：
半导体
金属（氧化物，合金）
陶瓷
自然资源
技术规格：
| 离子源 | |
| 离子枪 | 两个配有稀土磁铁的潘宁离子枪 |
| 抛光角度 | 0 到18°，每支离子枪可独立调节 |
| 离子束能量 (kV) | 0.1 – 8.0 |
| 离子束流密度峰值(mA/cm2) | 10 |
| 抛光速率 (µm/h) | 90（对于硅试样） |
| 离子束直径 | 可用气体流量计或放电电压来调节 |
| 样品台 | |
| 样品大小(长 × 宽 ×高, mm) | 32 × 15 |
| 转速 (rpm) | 1 – 6 |
| 离子束调制 | 角度范围可调的单向调制或双向调制 |
| 样品观察 | 数码变焦显微镜，配有 PC 及 DigitalMicrograph 软件（选配件） |
| 真空系统 | |
| 干泵系统 | 两级隔膜泵支持 80 L/s的涡轮分子泵 |
| 压力 (torr) | |
| 基本压力 | 5 × 10-6 |
| 工作压力 | 8 × 10-5 |
| 真空规 | 冷阴极型，用于主样品室；固体型，用 于 前级机械泵 |
| 样品气锁 | WhisperLok技术，样品交换时间小于1 分钟 |
| 用户界面 | |
| 10 英寸彩色触摸屏 | 操作简单，且能够控制所有参数和配方式操作 |
| 尺寸及使用要求 | |
| 外形尺寸 (长 × 宽× 高, mm) | 575 × 495 × 615 |
| 运输重量(kg) | 45 |
| 功耗 (W) | |
| 运行时 | 200 |
| 待机时 | 100 |
| 电源要求 | 通用 100 – 240 VAC，50/60 Hz（用户额定电压和频率） |
| 氩气(psi) | 25 |
订货编号：LR-200636
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