石墨烯场效应晶体管芯片S31，GFET-S31

石墨烯场效应晶体管芯片S31，GFET-S31

中文名称：石墨烯场效应晶体管芯片S31（GFET-S31）

英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chip S31

cas号：7440-44-0

芯片尺寸：10mm x10mm

芯片厚度 ：525μm

每个芯片的GFET数量：30

栅氧化层厚度（EOT）：20nm

栅极氧化物材料：Al2O3

Dirac点：＜5 V

良率 ：＞75%

石墨烯场效应迁移率：＞600cm2/V.S

应用：石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。

保存条件：常温干燥避光，密封保存

石墨烯场效应晶体管芯片S31，GFET-S31

GFET-S31以网格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探头几何形状，利用高K金属栅极 （HKMG）工艺流程提供EOT = 20nm的顶栅极。允许单独控制芯片内每个石墨烯通道的电导。有3种石墨烯通道尺寸，可以研究尺寸对器件属性的依赖性，从而实现即时优化。

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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2023.12.6.

以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体及其他用途。