nanoplus InGaAsSb 光电二极管
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- 公司名称 深圳市唯锐科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型号
- 产地
- 厂商性质 代理商
- 更新时间 2023/8/20 10:21:15
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供货周期 | 一周 | 应用领域 | 环保,化工 |
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nanoplus InGaAsSb 光电二极管
nanoplus 最新推出的InGaAsSb(锑砷化铟镓)光电二极管,以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料,相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内,峰值波长为1880nm,采用TO5封装,有效面积为Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm,具有响应速度快、灵敏度高等特点,非常适合用于高灵敏度气体分析、过程控制和环境监测等领域。
nanoplus InGaAsSb 光电二极管主要特点
波长范围1000nm-2600nm
Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm有效面积
采用TO5封装,带或不带制冷器
应用服务
高灵敏度气体分析
过程控制、环境监测
各种分析仪器等
技术参数
nanoplus InGaAsSb(锑砷化铟镓) 光电二极管主要参数特性:
主要参数特性 (T = 25 °C) | 符号 | 单位 | 标准 |
Spectral response range | I | nm | 1000-2600 |
Peak sensitivity wavelength | Ip | nm | 1880 |
Peak responsivity | Rp | A/W | 0.66 |
Dark current without bias | ID | nA | 95 |
Junction capacitance | CJ | pF | 41 |
Shunt resistance | Rsh | Ω | 17 |