Micsig SigOFIT光隔离探头MOIP350P

最真实的信号呈现

SigOFIT光隔离探头具有高的共模抑制比，在100MHz时CMRR高达112dB、在500MHz时CMRR仍然高达100dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的裁判。

SigOFIT光隔离探头MOIP350P测试精度

作为判定其他电压探头所测信号真实性的裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有幅频特性，直流增益精度优于1%，全量程范围内最大1.41mVrms底噪，预热后零点漂移小于500μV。 

第三代半导体的最佳测试手段

第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT光隔离探头在最高带宽时，仍然具有近100dB的共模抑制比，可以近乎地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试

测试氮化镓（GaN）不炸管

SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容小于3pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。

使用灵活

SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便。

测试量程更宽

不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试±1.25V至±2500V的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。

高效便捷

SigOFIT光隔离探头响应快，上电即测，校准时间小于1秒，可实时保证精确的信号输出。

应用场景

对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。

电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除

电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计

氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析

高压高带宽测试应用的安全隔离测试

逆变器、UPS及开关电源的测试

宽电压、宽带测试应用

各种浮地测试