eLINE Plus 电子束光刻系统

1.产品概述：

eLINE Plus -专为多种原位纳米加工技术的最宽带宽应用而设计，超越了经典的电子束光刻(EBL)。

2.产品优势：

世界上专业EBL系统中最小的波束尺寸（< 1.6 nm）

EBL抗蚀剂的线宽小于5nm

使用电子束诱导沉积（EBID）技术演示了亚7纳米线

新的eLINE Plus被设计的多重技术纳米光刻系统，用于所有科学学科的广泛应用

ELINEPlus公司的先进光刻基础设施使超高分辨率和大面积纳米制造成为可能，并统一了电子束光刻、纳米工程和超高分辨率成像的世界。

专业和无损的EBL：保证系统规格和小的光束尺寸与全球应用支持基础设施相结合，使eLINE Plus成为努力有效地建立纳米制造新前沿的学术机构的理想解决方案。

3. 产品参数：

最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nm

50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调

肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA

图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm

通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架

拼接精度：

100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma

套刻精度：

100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma

束电流稳定性＜0.2%/h   束位置稳定性＜120nm/8h