CP200 国产台阶仪

中图仪器CP200国产台阶仪采用接触式表面形貌测量，对测量表面反光特性、材料种类、材料硬度都没有特别要求，样品适应面广，数据复现性高、测量稳定、便捷、高效，是微观表面测量中使用广泛的微纳样品测量手段。

在半导体、光伏、LED、MEMS器件、材料等领域，表面台阶高度、膜厚的准确测量具有十分重要的价值，尤其是台阶高度是一个重要的参数，对各种薄膜台阶参数的精确、快速测定和控制，是保证材料质量、提高生产效率的重要手段。CP200国产台阶仪采用亚埃级分辨率的位移传感器、超低噪声信号采集、超精细的运动控制、标定算法等核心技术，具有优良的使用性能。用于样品表面从微米到纳米尺度的轮廓测量，可以进行台阶高度、膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波纹和表面粗糙度等的测量。

产品功能

1、台阶高度

能够测量几个纳米到330μm的台阶高度。这使其可以准确测量在蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP等工艺期间沉积或去除的材料。

2、纹理：粗糙度和波纹度

测量2D纹理，量化样品的粗糙度和波纹度。软件过滤功能将测量值分离为粗糙度和波纹度的部分，并计算诸如均方根（RMS）粗糙度等20余项粗糙度参数。

3、形状：翘曲和形状

可以测量表面的2D形状或翘曲。这包括对晶圆翘曲的测量，例如在半导体或化合物半导体器件生产过程中，多层沉积层结构中层间不匹配是导致这类翘曲产生的原因。还可以量化包括透镜在内的结构高度和曲率半径。

4、应力：薄膜应力

能够测量在生产中包含多个工艺层的半导体或化合物半导体器件所产生的应力。使用应力卡盘样品支撑在中性位置精确测量样品翘曲。然后通过应用Stoney方程，利用诸如薄膜沉积工艺的形状变化来计算应力。

5、接触缺陷复检：缺陷表面形貌

技术参数

技术测量：探针式表面轮廓测量技术

样品观测：光学导航摄像头：500万像素高分辨率 彩色摄像机，FoV，1700*1400μm

平台移动范围X/Y：电动X/Y（100mm*100mm）（可手动校平）

最大样品厚度：50mm

载物台最大晶圆尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）

台阶高度重复性：＜1nm（测量1μm台阶高度，1δ）

垂直分辨力：分辨力＜0.25 Å（量程为13um时）

仪器尺寸: 640*626*534(mm)

仪器总重量：<50kg

典型应用