PICOSUN™ R-200高级型

PICOSUN™ R-200高级型ALD系统是ALD科研设备市场， 在全球拥有百用户。它已经成为一些创新公司和研究机构的研发 工具。

PICOSUN™ R-200高级型灵活的设计确保沉积高质量的ALD薄膜，超灵活的系统配置也能满足用户未来的需求和应用。的热壁设计、*独立的前驱体管 路和特殊的载气设计， 使得无颗粒沉积广泛  应用于平面晶圆、 3D基片和所有纳米尺度的  材料。即使在具挑战性的多孔材料、超高深 宽比和纳米颗粒表面沉积， 系统都能实现好的均匀性， 这些都归功于我们的技术  Picoflow™。Picosun™R-200高级型系统配备功 能强大和易于更换的液体、气体和固体前驱体源。高效率和拥有的远程等离子选项  可以沉积金属而不发生短路，不存在等离子  体损坏的危险。系统可集成手套箱， 超高真空 系统、手动或半自动加载系统， 集群系统， 粉末反应腔， 卷对卷反应腔和各种在线分析系统， 使您的研究变得高效和灵活。 即使将来您改变研究领域， 它依旧会是帮手！

技术参数：

衬底尺寸和类型

•    50-200 mm/片

•    156 mm x 156 mm 太阳能硅片

•    3D 复杂表面衬底

•    粉末与颗粒

•    小批量

•    多孔， 通孔， 高深宽比（HAR）样品 （最高可达 1:2500）

工艺温度

•    50 – 500 °C ，等离子450°C (650 °C加热盘可定制)

沉积材料

•    Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN, 以及金属Pt 或者 Ir

基片加载

•    气动升降， 手动装载

•    预真空室安装磁力操作机械手（Load lock）

•    半自动机械装置

•    集群系统的批量装载（Cassette-to-cassette）

前驱体

•    液态、固态、气态、臭氧源、等离子体

•    6根独立源管线， 最多加载12个前驱体源（加 上 Plasma管路， 共7根独立源管线）

选件

•    集群工具， PICOFLOW™扩散增强器， roll-to-   roll腔室、超高真空兼容、 RGA、N2发生器、尾 气处理器、定制设计， 手套箱集成（用于惰性 气体下装载）