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化工仪器网>产品展厅>半导体行业专用仪器>薄膜生长设备>化学气相沉积设备>PECVD设备 PC-006 PECVD设备

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PECVD设备 PC-006 PECVD设备

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鹏城半导体技术(深圳)有限公司(简称:鹏城半导体),由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新yin/ling与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。


公司核心业务是微纳技术与gao duan精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。


公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。


公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备*的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。


半导体材料,工艺和装备的研发设计,生产制造

PECVD设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。


设备用途和功能特点

1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备,主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。

2、设备保护功能强,具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。

3、配置尾气处理装置。

设备安全性设计

1、电力系统的检测与保护

2、设置真空检测与报警保护功能

3、温度检测与报警保护

4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护


设备技术指标

类型参数
样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)
样片加热台加热温度室温~ 600℃±0.1℃
真空室极限真空≤7×10-5Pa
工作背景真空≤8×10-4Pa
设备总体漏放率停泵12小时后,真空度≤10Pa
样品、电极间距5mm ~ 50mm在线可调
工作控制压强10Pa ~ 1500Pa
气体控制回路根据工艺要求配置
单频电源的频率13.56MHz
双频电源的频率13.56MHz/400KHz


工作条件

类型参数
供电三相五线制 AC 380V
工作环境温度10℃~ 40℃
气体阀门供气压力0.5MPa ~ 0.7MPa
质量流量控制器输入压力0.05MPa ~ 0.2MPa
冷却水循环量0.6m3/h 水温18℃~ 25℃
设备总功率7kW
设备占地面积2.0m ~ 2.0m


PECVD设备及太阳能薄膜电池设备





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