S系列 MOSFET管电性能分析用源表

MOSFET管电性能分析用源表集电压、电流输入输出及测量等多种功能，最大输出电压达300V，最小电流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。

以下是数字源表的典型应用领域:
纳米材料与器件
– 石墨烯
– 碳纳米管
–    纳米线
– 低功耗纳米结构

• 半导体结构
– 晶圆
– 薄膜

• 有机材料与器件
– 电子墨水
– 印刷电子技术

• 能量效率与照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太阳电池
–    电池

• 分立器件与无源组件
– 双引线:   电阻器、二极管、齐纳二极管、LED、传感器

– 三引线: 小信号双极节型晶体管(BJT)、场效应晶体管  (FET)，等等

• 材料特性分析
–电阻率
–霍尔效应

典型的器件参数测试如下：

晶体管/整流器：正向电压(Vf)、反向电压(Vr)、反向漏电流(Ir)

MOSFET/JFET：输出特性(Vds-Id)、转移特性(Vgs-Id)、导通电阻(Rdson)、击穿电压(BVdss,BVdg)、漏电流(Idss,Igss)

双极性晶体管/IGBT：饱和电压(Vcesat)、输出特性(Vce-Ic)、击穿电压(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏电流(Iceo,Ices,Iebo)

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