离子污染测定仪

离子污染测定仪

▲总述

本设备为两室真空系统。其中一室为进样取样室，另一室为刻蚀室。进样取样室与刻蚀室之间装有真空锁，进样取样采用机械手运送。

本设备主要由真空系统、气路系统、电气系统、控制系统，冷却系统、送取片机构、报警系统等组成。

▲真空系统

本系统由一个抽速600升/秒分子泵+抽速9升/秒真空泵组成抽气系统, 将刻蚀室抽至高真空, 分子泵与刻蚀室之间装有压力调节阀电插板阀, 机械泵为刻蚀室予抽泵及分子泵前级泵。用另一个抽速9升/秒机械泵将进取样室抽至真空状态。 机械泵与真空室之间及与分子泵之间均采用不锈钢波纹管连接, 并装有电磁气动隔断阀。

▲恒压控制系统

本设备配有下游恒压控制系统，在抽气管路装有一电动可调节阀，通过薄膜规测量（进口件），可调节阀控制，使真空室达到恒压,从而提高工艺稳定性。

▲射频电源系统

采用射频电源两套，带自动动匹配。

▲气路系统

由4个质量流量控制器控制4路气体进气。气体管路均采用1/4英寸不锈钢硬管，管路接头连接形式采用双卡套连接。质量流量控制器采用美国技术,气路阀门、管路等采用进口件。

▲控制系统

采用工控机及PLC控制，通过触摸屏设置参数及显示测量值、状态等，实现真空系统及工艺过程自动化。本机可选择全自动及非全自动模式。

▲报警系统：设备所需安全要求。

二. 主要技术指标

  1. 极限真空:  刻蚀室9.0×10^-5 Pa (室内湿度≤55%)

               进样取样室6.0×10^-1 Pa

2. 刻蚀材料:  Poly-Si、Si、SiO₂、Si₃N_4、深刻硅等

3. 刻蚀速率:   0.01~ 2μ/min

4. 刻蚀均匀性: ≤±5％(φ125mm范围内)；

5. 电极尺寸: φ200mm

三．设备基本配置

1. 真空泵源:  抽速600升/秒分子泵一台

抽速9升/秒机械泵二台

2. 射频功率源: RF 500W射频电源及自动匹配器一套

RF 1000W射频电源及自动匹配器一套

3. 气路系统:   4台质量流量计控制四路进气（七星华创）

              (管件阀门：进口)

4. 真空测量：  复合真空计一台

5．恒压系统： 薄膜规一个(进口)

可调节阀一套

6. 自动控制系统一套（含工控机，PLC控制器，17〞触摸显示屏、    驱动电路等）

离子污染测定仪