基片材料 Si3N4陶瓷基片 晶体基片

Si3N4陶瓷基片 晶体基片

氮化硅的强度很高，是热压氮化硅，是上坚硬的物质之一。它极，强度一直可以维持到１２００℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到１９００℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎的无机酸和３０％以下的烧碱溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀；同时又是一种电材料。氮化硅陶瓷可做燃气轮机的燃烧室、机械密封环、输送铝液的电磁泵的管道及阀门、模具、钢水分离环等。

Si3N4陶瓷基片 晶体基片

氮化硅(Si3N4)陶瓷    

氮化硅陶瓷是一种烧结时不收缩的无机材料。它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形状，在氮气中及１２００℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在１３５０℃～１４５０℃的高温炉中进行次氮化，反应成氮化硅。用热压烧结法可制得理论密度９９％的氮化硅。

分子式 Si3N4

相对分子质量 140.28

颜色 灰色、灰黑色

晶系 六方晶系。晶体呈六面体

陶瓷片制备方法 热压法

相对密度 99.5%

密度 3.2+/-0.02 g/cm3

莫氏硬度 9~9.5

熔点 1900℃（加压下）。通常在常压下1900℃分解

热膨胀系数 2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)

比热容 0.71J/(g·K)

热导率 15~ 20W/(m·K)

弹性模量 300~320 GPa

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