Star.100 Penta Co FHR Penta Co 磁控溅射镀膜机

一、设备介绍
   FHR.Star.100-PentaCo设备为特殊设计、高度集成的溅射设备，适用于硅片类基片或基片承载器的工艺处理。设备构造包括一个配备机械手的进样室和一个*多可装配五个溅射源的工艺腔室。各源以共焦方式排列。沉积过程通过加热式旋转背板携带载片器共同运动方式执行。旋转台接入RF偏压。溅射源装配直径100 mm的平面阴极和气动控制式挡板，可实现依序沉积和共沉积两种工艺方式。此外，各源可沿轴向及横向进行位置调节，并且载片台也可将载片器提升起来。因此，FHR.Star.100-PentaCo设备可在不同靶基距条件下实现不同高度基片的膜层工艺。自动传输系统将载片器从进样室传输到工艺腔室。通过预先编辑好的工艺流自动实现基片依序沉积工艺。

二：适用工艺
1.反应和非反应磁控溅射(DC模式)  RF 溅射
2.预处理(如，等离子刻蚀)
3.针对旋转式载片台实现共溅射

三、客户优势
1.集成式设计占地面积少
2.可兼容洁净室隔离墙
3.设备维护迅速简单
4.具吸引力的投资和运行成本

四、特殊性能
1.可提升载片器的加热式旋转载片台，
2.连接基片RF偏压(标准硅片温度*高 500 °C)靶基距可调
3.全自动工艺控制
4.CE 认证
5.德国制造

五、可选方案
1.适于进样室侧使用的层流箱

六、典型应用
1.MEMS和传感器领域多层膜
2.微电和光电领域功能膜