日本ZA57630高精度阻抗分析仪

日本ZA57630高精度阻抗分析仪介绍：

ZA57630可以满足电子元件与材料分析：电池、SMD电感、一体成型电感、电感线圈、继电器、变压器、共模电感、陶瓷电容、变容二极管、压电元件、晶体振荡器、薄膜、电解质、磁导率、介电常数、生物医学技术分析、CV测量：半导体、功率MOSFET、NFC/EMI/无线充电、bead、physics patches等。ZA57630可以满足电子元件与材料分析：电池、SMD电感、一体成型电感、电感线圈、继电器、变压器、共模电感、陶瓷电容、变容二极管、压电元件、晶体振荡器、薄膜、电解质、磁导率、介电常数、生物医学技术分析、CV测量：半导体、功率MOSFET、NFC/EMI/无线充电、bead、physics patches等。

基本精度

频率范围

阻抗范围

测量 AC 信号级别

DC 偏置

测量时间

测量参数

±0.08%

10 µHz～36 MHz

10 µΩ～100 GΩ (模式: IMPD-EXT)

0.01 mVrms～3 Vrms
0.1 µArms～60 mArms

−5 V ～ +5 V/−40 V ～ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ～ +100 mA

0.5 ms/point

Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dµ,
Q, V, I, εs, εs’, εs”,µs, µs’, µs”, FREQUENCY

快速测量  业界.5 ms/point

实现了业界的0.5ms/point。
缩短生产线的节拍时间，提高测量作业的效率。
此外，通过增加设定的测量时间，使测量结果平均化，减轻噪声的影响。可视需要选择合适的测量时间。

4种测量模式  应对广泛的DUT

IMPD-3T
  标准测量模式

本模式可以在广泛的频率范围内进行高精度测量。可使用测试线及测试夹具，应对各种形状的试样。

IMPD-2T
  高频测量模式

本模式可以在 10MHz 以上的高频下进行稳定的测量。使用 N 型连接器进行 2 端子测量，即便配线长，也可以进行稳定的测量。

IMPD-EXT
 外部扩展测量模式

本模式为外部连接放大器或分流电阻等物进行测量。
可以通过施加高压信号或检测微小电压 / 电流进行单独使用本仪器无法应对的测量。

G-PH
  增益/相位测量模式

本模式可以测量滤波器、放大器等的传输特性。向被测电路施加扫描信号，高精度地测量其频率响应（增益、相位）。

正面面板测量端子

特点

结合用途配备丰富的功能！
以适合DUT特性的设定，支持高重现性且准确的测量。
准确的评价基于实际使用的操作条件。

电子零件、电子材料可能因测量频率及施加的信号级别而表现出不同的特性。电容器和电感器存在因寄生成分引发的频率依赖性，二极管等半导体器件由于 DC 偏置叠加而产生特性变化。
要评价真实的特性，重要的是频率、AC 振幅和 DC 偏置的扫频，在实际的操作条件下进行测量。

特点

• ● 扫频

• ● 延迟功能

• ● 标记操作

• ● 测量条件等的设定

• ● 自动高密度扫频

• ● 顺序测量

• ● 量程

• ● 误差校正

• ● 图表显示

丰富的功能

• ● 共振点跟踪测量

• ● 相对介电常数测量

• ● 外部基准时钟

• ● 等效电路估算

• ● 相对导磁率测量

• ● 存储器操作

• ● 压电常数计算

• ● 比较器 / 处理器接口

扫频   频率、AC 振幅、DC 偏置、零频宽

AC 振幅扫描

扫频

DC 偏置扫频

零频宽

不变更频率、AC 振幅和 DC 偏置的参数，按恒定的条件进行测量，观察不同时间的特性变化（横轴：时间）

● 也能应对点测

按恒定的频率 /AC 振幅 /DC偏置进行测量，以数值显示测量结果。多可以设定 6 个项目。
与比较器功能组合，可以进行筛选及判定是否合格。

生产线内的测量

测量条件等的设定

在 1 个界面内直观地进行详细设定

设定项目（SETTING VIEW）

设定图表轴

设定频率

量程

自动量程

监视测量结果，同时自动设定合适的量程进行测量。
检测到超过量程的外部噪声或直流分量时，重新设定为更大的量程并重新测量。测量数据的变化大时启用。

固定量程

量程固定，因此不会产生因量程变化引发的测量值不连续（段差）。

延迟功能

如果在扫描过程中变更了频率、AC 振幅等扫描参数，则瞬态响应将导致测量结果出现误差。参数变更后，可以延迟开始测量的时间。延迟包括“延迟开始测量”和“延迟测量”，前者在开始测量时延迟，后者在扫描过程中每次变更参数时延迟。

自动高密度扫频

在扫频测量中，本功能限定在测量数据突变的区间自动提高频率密度进行测量。
在压电振荡器、晶体振荡器等的共振特性测量中，本功能在相位急剧变化的共振附近的测量中启用。

误差校正

为进行准确的评价，需根据测量误差因子进行校正。

为进行准确的测量，需适当校正残余阻抗、电缆长度等各种测量误差因子。

开路校正

减少因残余导纳引起的误差

短路校正

减少因残余阻抗引起的误差

负载校正

以具有已知值的试样作为标准阻抗，校正与真值的偏差

端口延长

使用长电缆时，校正因传输延迟时间而产生的相位误差

电位梯度消除

消除测量信号所含的电位波动波形的影响。在由于电池等的充放电会引起电位变化的试样的测量中启用

补偿

预先测量连接到外部的传感器、电缆等测量系统的频率特性，校正测量系统的误差成分

输入加权码

校正探头的衰减量及前置放大器的增益

自行校准

校正自身误差

标记操作

本功能用于读取所显示的图表中 X、Y1、Y2 的测量值。
多可使用 8 个标记。

Δ标记　显示与基准标记（标记 1）的差异

ΔTRKG 标记

与Δ标记同样显示差异，移动到标记 1 时，保持恒定的扫描值差异，同时进行移动

标记搜索功能

可自动搜索与设定条件一致的点

顺序测量

本功能预先设定多项所需的测量条件，按照该条件依次进行测量。多可将扫描范围分割成 32 部分，各范围内按照不同的测量条件进行测量。
可高效地测量因电压值而使特性发生变化的多层陶瓷电容器（MLCC）、电感器及变压器等器件。

图表显示

SINGLE 显示 /SPLIT 显示

可选择在 1 个画面内显示 1 个图表的“SINGLE”和上下显示 2 个图表的“SPLIT”

相位显示操作

±180°、0°～＋360°、－360°～0°、UNWRAP（连续显示）、 360°移位、孔径（群延迟特性）

迹线操作

可改写测量数据迹线（MEAS）和多 8 条参照数据迹线（REF）

自动存储

本功能在扫描测量结束后自动将 MEAS 迹线复制到 REF 迹线中。在随时间而变化的特性观测中启用。

● SPLIT 显示

● 自动存储

共振点跟踪测量

本功能在测量具有共振的试样时，使测量频率自动跟踪试样的共振频率。 即使试样具有振幅依赖性或共振频率随时间变化而波动，也可以始终进行与共振频率一致的测量。本功能便于在压电元件的共振点附近进行连续测量。

共振频率变化（1.6 kHz→1.5858 kHz）、自动跟踪

等效电路估算

本功能将扫频测量获得的阻抗特性应用于等效电路模型，从而求出LCR 元件的值（电感值、电容值、电阻值）。准备有以下 6 种模型。等效电路估算结果可以用 CSV 格式保存。

等效电路模型

压电常数计算

本功能测量压电陶瓷的频率 - 阻抗特性，并计算机电耦合系数和压电常数等。

按照 JEITA 标准《EM-4501A　压电陶瓷振荡器的电气试验方法》规定的方法计算参数。

测量结果显示

常数计算画面

相对介电常数测量

可以预先设定试样尺寸等信息，将阻抗测量结果（Cp，Rp）换算为复相对介电常数进行显示。

● 相对介电常数 εs

● 相对介电常数实部 εs’

● 相对介电常数虚部 εs”

● 损耗率 Dε

εs’−εs”

εs−Dε

相对导磁率测量

可以预先设定试样尺寸等信息，将阻抗测量结果（Ls, Rs）换算为复相对导磁率进行显示。

● 相对导磁率µs

● 相对导磁率实部 µs’

● 相对导磁率虚部 µs”

● 损耗率 Dµ

µs’−µs”

µs−Dµ

比较器 / 处理器接口  用于生产线!

测量速度 快 0.5 ms/point，缩短了节拍时间，
并进一步完善了零件筛选功能!!

比较器功能针对测量结果预先设定判定范围，为筛选试样而进行分类以及判定是否合格。

比较器设定画面

分类判定

本功能多可将判定结果分为14类。判定结果

极限判定

本功能在已设定的范围内判定测量结果是否合格。

区域判定

本功能通过X轴(扫描参数)和Y1/Y2轴(测量结果)的2个维度判定扫描测量结果是否合格。

处理器接口

可以将比较器的判定结果输出到背面面板上配备的处理器接口连接器。通过连接零件处理器，可以构建零件的自动判别系统。

外部基准时钟

外部的 10MHz 时钟信号可以用作基准时钟。
通过使用精度高于内部基准时钟的基准时钟，可以提高测量频率的精度和稳定性。
此外，通过采用与其他仪器通用的基准时钟，可以共享频率精度。

配备于背面面板

存储器操作

测量条件及测量数据可以保存到内存或 USB 存储器中，也可以进行读取。

● 用于电化学阻抗特性测量

配备用于测量各种电化学阻抗的功能，例如测量电池的内部阻抗等。

• ● 可以从超低频10μHz开始测量

• ● 利用电位梯度消除功能，抑制充放电对电位变化测量的影响

• ● 利用0° SYNC功能，在相位0°处变更测量频率，使测量前后对试样的电荷转移量为零。

• ● 利用测量同步驱动功能，仅在测量过程中输出信号，
    从而将施加信号产生的电池负担减轻到小限度。

• 测量例

  测量实绩数据 (各类电子元件以及电子材料)

  	|	电容器	|	电感器	|	电阻器	|
  	|	压电元件	|	液体	|	电路	|

  

  

  
  

  电容器

  ●0.1μF 电容 (引脚元件) 电容频率测量 标准测量模式 (IMPD-3T)

  ●0.1μF 电容 (引脚元件) 阻抗频率测量 标准测量模式 (IMPD-3T)

  

  ●4.7μF 电容器 (SMD元件) 电容ESR测量 标准测量模式 (IMPD-3T)

  

  
  

  
  

  电感器

  ●10μH 电感器 (SMD元件) 自谐振频率测量 标准测量模式 (IMPD-3T)

  ●RFID传输用天线电感器 (PCB装机) 共振频率测量 高频测量模式 (IMPD-2T)

  

  ●220μH 线圈电感器 自谐振频率测量 标准测量模式 (IMPD-3T)

  

  
  

  
  

  电阻器

  ●50MΩ 电阻器 高阻抗测量 外部扩张测量模式 (IMPD-EXT) 连接外部宽频电流放大器 (SA-604F2) 所测量

  

  
  

  
  

  压电元件

  ●压电陶瓷振荡器

  共振频率测量 标准测量模式 (IMPD-3T) 利用marker操作，显示共振点的数值

  共振频率测量 标准测量模式 (IMPD-3T) 使用marker操作，显示共振点·共振点的数值

  

  
  

  
  

  液体

  ●纯净水

  阻抗频率测量 标准测量模式 (IMPD-3T) 使用液体测量治具所测量

  介电常数测量 通过左边的阻抗频率测试结果所计算出的介电常数数值 (εs´, εs”)

  

  
  

  
  

  电路

  ●CR滤波器 (fc≒10 MHz) 增益/相位测量 (G-PH) 增益/相位测量模式 技术规格 机型 ZA56730 频率范围 20Hz~36MHz 测试参数 L（电感）、Q（品质因素）、D（消耗因素）、C（电容）、Z（阻抗）、X（电抗）、ACR（交流电阻）、θ（相位角）、Y（导纳）、G（电导）、 B（电纳）、V、I、εs（介电常数）、Dε（损耗率）、μs（磁导率）、G-PH（增益/相位） 参数范围 Z, R, X：  10μΩ ~ 100GΩ G, Y, B：  0.01mS ~ 999.999GS L：  0.01nH ~  2kH C：  1aF ~999.999GF D：  0.00001 ~ 99999.9 Q： 0.00001 ~ 99999.9 εs、μs：1a ~999.999G Dε、Dμ :0.00001 ~ 99999.9 V：0 ~9.99999 Vrms I：0 ~99.9999 mArms dB：-999.999dB ~ 999.999 dB θ:  -180.000 o ~ +179.999 o  ；0.000 o ~ +360.000 o AC信号电平 0.01 mVrms ~ 3 Vrms ； 0.1 μArms ~ 60 mArms 输出阻抗 50Ω 等效电路 六种等效电路模型 直流偏置 内置偏压：-5 V ~ +5 V； -40 V ~ +40 V（1 KHz以上） 内置偏流：-100 mA ~ 100 mA 测量模式 标准测量（IMPD-3T） 高频测量（IMPD-2T） 外部扩展测量（IMPD-EXT） 增益·相位测量(G-PH) 通信接口 GPIB、LAN、USB、RS-232 扩展连接器 AUX连接器 存储 内存32组（每种测量模式）；外部USB存储器 温湿度 温度0℃~+40℃（操作）、0 ~ 85%RH 输入电压 使用电源AC100V ~ 230V ±10% （可自动切换），频率50Hz / 60Hz ± 2Hz 标准配件 操作手册、电源线、PA-001-3234标准治具、PA-0013233标准电阻（100Ω） 外形尺寸(mm) 430（W）×177(H)× 350(D)   净重量 约7Kg 订货信息Ordering Information ZA57630  精密阻抗分析仪36MHz 配件选配Options 1011   DIP测试夹具 1020   薄膜测试治具≤ 40 MHz 1012   SMD二线式测试治具 ≤ 120 MHz 1022   液体测试治具≤ 40 MHz 1014   SMD四线式测试治具 ≤ 120 MHz 1024   SMD二线式测试治具 ≤ 120 MHz             1025   二线式接触式测试治具 ≤20 MHz 1032   SMD二线式测试治具 ≤ 120 MHz         40120 SMD镊子式测试治 ≤ 3 MHz 10324   SMD四线式测试治具 ≤ 120 MHz 1EV1905A   探针式测试治具≤ 3 MHz 1EV1505   四线式测试夹具 ZM2366   三端式测试夹具≤ 10 MHz ZM232A6 三端式测试夹具 ≤ 1.2 MHz 40125  SMD镊子式测试治具 ≤ 120 MHz ZM2363   DIP四线式测试夹具≤ 10 MHz PA-0013233 标准电阻（100Ω） ZM2394   SMD二线式测试夹具≤ 2 MHz PA-001-3234 标准治具 ZM2394H  SMD二线式测试夹具≤ 30 MHz 1EVA40100   测试夹（细齿）≤ 3 MHz 1EVA40180 测试夹（粗齿）≤ 3 MHz