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化工仪器网>产品展厅>半导体行业专用仪器>薄膜生长设备>化学气相沉积设备>BTF-1200C-S-SL-CVD 非气态源化学气相沉积系统

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BTF-1200C-S-SL-CVD 非气态源化学气相沉积系统

具体成交价以合同协议为准

联系方式:刘经理查看联系方式

联系我们时请说明是化工仪器网上看到的信息,谢谢!


     安徽贝意克设备技术有限公司成立于2012年,基地位于安徽合肥,是一家集新材料设备研发、生产、销售与技术服务于一体的高科技企业。

     公司重视技术攻关和产品研发,建有超卓的产品研发中心,拥有一支由多名博士硕士组成的专业研发队伍,累计获得patent200余项。并通过产学研合作,与北京大学南开大学等多所院校建立联合实验室及研究生联合培养基地
     公司专注于新材料装备工艺开发及装备制造,产品门类涵盖了OLED材料提纯专用设备系列、碳材料制备设备系列、半导体专用设备系列及金属纳米颗粒设备系列四大类共十余个子类,与众多材料厂商、科研院校等保持长期合作关系,市场营销网络遍布全球各地。
     连年来,公司相继被认定为“高新技术企业”“专精特新企业““科技小巨人培育企业”“石墨烯生长设备工程技术研究中心”“瞪羚企业”“雏鹰企业”,并接连获得“中国隐形独角兽500强”“科技创新奖”“创新创业奖”等多项荣誉。










高温管式炉,箱式炉,CVD系统,PECVD系统, 升华仪,流化床,半导体前驱体制备设备,陶瓷材料烧结设备

产地类别 国产 应用领域 综合

主要特点

  非气态源化学气相沉积系统由电动滑轨式管式炉、三路供气系统、真空及过滤系统、前驱体鼓泡装置,气体预热装置、软件控制等部分组成。适用于前驱体为非气态源,如固态或液态前驱体,前驱体灌温度可达400℃,且温度独立可调,固态或液态前驱体在一定温度下蒸发后通过惰性气体带入反应区域参与的一些CVD反应。

非气态源化学气相沉积系统设备结构

1.    左右两端进气抽气可相互切换;提高基体上涂层的均匀性;

2.    炉体底部在电机带动下可在导轨上水平移动,移动速度根据工艺需要可设置。  

3.    采用触摸屏和工控电脑自动控制,参数设置和操作直观方便,参数自动记录保持。

4.    供气系统可以按照客户的实验需求配置几路质量流量计,流量计的量程可选,真空系统也可以根据客户的需求选择配置各种真空泵。

技术参数:

加热系统

Most高温度

1200℃(1 hour)

使用温度

≤1100℃

炉膛有效尺寸

Φ40*800mm(炉管直径可根据实际需要定制。)

炉膛材料

高纯氧化铝纤维

热电偶类型

K型热电偶

控温精度

±1℃

控温方式

30段可编程控温,PID参数自整定,

‚操作界面为10”工控电脑,内置PLC控制程序

加热长度

150mm

恒温长度

70mm

加热原件

电阻丝

供电电源

220V,50Hz

额定功率

2KW

 

三路质子流量控制系统

连接头类型

Φ6mm双卡套不锈钢接头

标准量程(N2)

100sccm,100sccm、200sccm;(可根据用户要求定制

准确度

±1.5%

线性

±0.5~1.5%

重复精度

±0.2%

响应时间

气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

工作压差范围

0.1~0.5 MPa

Most大压力

3MPa

接口

Φ6,1/4''

真空机组

工作电电压

220V±10%  50~60HZ

功率

1千瓦

抽气速率

10m³/h

极限真空

5X10-1Pa

耐压值

0.03MPa

容油量

1.1L

进排气口径

KF25

噪音

50dB

连接方式

采用波纹管,手动挡板阀与波纹管相连



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