SOMIS&S12000/V-A ALD

  原子层淀积系统可生长品质优异的薄膜，设备*，稳定可靠。应用实例：高K栅氧化层，存储容性电介质，铜互连中高深宽比扩散阻挡层，OLED无针孔钝化层，MEMS的高均匀镀膜，纳米多孔结构镀膜，特种光纤掺杂，太阳能电池，平板显示器，光学薄膜，其它各类特殊结构纳米薄膜。
产品优势
*的软件控制系统：系统集工艺配方、参数设置、权限设定、互锁报警、状态监控等功能于一体
技术优势
支持多种制程工艺路线
设备占地空间小
设备产能高
机台保养维修方便，维护周期长，半年以上
设备成膜质量好，致密均匀度好
设备耗电量小
设备稳定性高，机械运动少，设备运行更稳定可靠
尾气已预处理
设备对干泵采取了必要措施保护，泵的维护周期更长

主要技术指标
基片加热温度：室温-500℃，控制精度： ±0.1℃
ALD阀：swagelok快速高温ALD阀
生长模式：连续高速沉积模式
控制系统：PLC+工控机
电源：50-60Hz，380V
沉积不均匀性：不均匀性<±1%；片间不均匀性<±1.5%

可沉积薄膜种类
单质：Co，Cu，Ta，Ti，W，Ge，Pt，Ru，Ni，Fe…
氮化物：TiO₂，HfO₂，SiO₂，ZnO，ZrO₂，Al₂O₃，La₂O₃，SnO₂…
其他化合物：GaAs，AIP，InP，GaP，InAs，LaHfxOy，SrTiO₃，SrTaO₆…