XEIA3 -- 聚焦离子束扫描电镜

XEIA3 -- 聚焦离子束扫描电镜是一款*的集多种功能于一体的新型双束聚焦(XE)扫描电子显微镜，它性能优异，为用户提供完美的整体解决方案。XEIA3 -- 聚焦离子束扫描电镜不仅配有大功率的FIB以进行超快速的微米或纳米级切割，还具备出色的低能粒子束成像能力，同时亦可以进行快速可靠地显微分析以及样品分析的3D重建。

 

关键参数特征

• • 功能强大的SEM电子光学系统，采用高亮度的Schottky发射器为电子源，具有束流大，噪点低，非凡的成像能力等特点
  • In-Beam探测器能够确保在极小的工作距离下仍能收集信号，进行高品质成像
  • 采用Xe等离子体源的超快速FIB系统。 束流大，具有惊人的离子束切割速度，因此在切除大体积块状材料时卓有成效；同时较低的离子束流便于完成样品表面抛光
  • 电子束减速技术（BDT）助力于进行超低着陆电压下的完美成像
  • 隔离材料的植入、掺杂或降解更少，这点对于半导体行业相当重要
  • SEM与 FIB两系统互补，即使用FIB进行样品切割或沉积时，可同时进行SEM成像拍照
  • TESCAN电镜*的各种自动化操作技术，如In-Flight Beam Tracing^TM技术可通过计算精确的调节高分辨率成像所需的参数设置（例如工作距离WD、放大倍率等）
  • DrawBeam 软件模块是一个便于进行图案设计的工具，3D功能亦很强大，使用它可在FIB切割或粒子束蚀刻等过程可实时获取图像
  • 为3D EDX及3D EBSD等三维显微分析技术带来全新的解决方案
  • 集成了飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）与 扫描探针显微技术，可扩展的大样品室，使用户能够进行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻检验，12’’ 晶片光刻检验是TESCAN电镜*的技术能力
  • 气体注入系统 (GIS) 有助于使FIB完成更多应用
  • 高性能的电子成像能力，其成像速率可高达20 ns/pxl, 同时具备出色的沉积速率及超快的扫描速度
  • 涡轮分子泵及前级泵的高效能有利于保持样品室的清洁度；电子枪通过离子吸气泵获得真空