奥林巴斯红外显微镜 BX53

配置IR专用物镜，可用于透过硅材料成像，进行半导体检查和测量

奥林巴斯BX/MX系列红外显微镜配备的5X到100X红外（IR）物镜，提供了从可见光波长到近红外的像差校正。

对于高放大倍率的物镜，配备了LCPLN-IR系列带校正环的物镜，校正由样品厚度导致的像差，使用一个物镜即可获取清晰的图像。

电子设备在当今现代科技中已非常普遍。每个人很有可能已经在使用电子设备时，间接遇到并使用了硅晶圆。 晶圆是一种薄的半导体材料基材，用于制造电子集成电路。半导体材料种类多样，电子器件中*常用的一种半导体材料是硅 (Si)。硅晶圆是集成电路中的关键部分。它由高纯度、几乎无缺陷的单晶硅棒经过切片制成，用作制造晶圆内和晶圆表面上微电子器件的基板。硅晶圆会积累在生长、切割、研磨、蚀刻、抛光过程中的残余应力。因此，硅晶圆在整个制造过程中可能产生裂纹，如果裂纹未被检测到，那些含有裂纹的晶圆就在后续生产阶段中产生无用的产品。裂纹也可能在将集成电路分割成单独 IC 时产生。因此，若要降低制造成本，在进一步的加工前，检查原材料基材的杂质，裂纹以及在加工过程中检测缺陷非常重要。

近红外一般定义为700-1600nm波长范围内的光线，由于硅传感器的上限约为1100nm，砷化铟镓（InGaAs）传感器是在近红外中使用的主要传感器，可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时，水蒸气、雾和硅等特定材料均为透明，因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。