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HMS-3000 霍尔效应测试仪

具体成交价以合同协议为准

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联系我们时请说明是化工仪器网上看到的信息,谢谢!


 

FIRSTNANO成立于2012年,一家由三位材料学博士共同创办的德国公司。基于 Science is international”的想法,“全球协同实验室”成为三位博士追逐的梦想。

公司愿景是从科学家到科学家,科学开创美好未来。

FIRSTNANO深耕于半导体技术、材料科学、生命科学等科研领域,始终秉承“前沿、专业、科学”的宗旨,将前沿技术引进到协同实验室。我们的产品覆盖了微纳加工制程;材料科学的检测、分析;生命科学成像,脑科学与行为认知等相关领域。作为全球科技前沿的仪器供应商,FIRSTNANO具有全球技术视野、优质供应体系、以及严格的质量管控系统,能为客户提供前沿的技术解决方案。

公司服务的客户领域广泛,其中包括消费电子、航空、航天、医药技术、半导体行业、光电子行业、高校和研究机构。

在成长的过程中,我们脚踏实地、奋勇向前。自2015年香港(中华区)公司成立以来,我们一相继在香港、深圳、上海和武汉设立了分支机构。

我们真诚邀请业内英才加入FIRSTNANO TEAM,一起为梦想扬帆起航!

 

 

 

 

半导体仪器和电子产品耗材耗材

产地类别 进口

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性*的工具。

ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成,拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置,是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的zhuanli,代表了霍尔效应测量的品质及合理的产品价格,并为客户所认可。该产品20047月通过CE认证。

 

 

产品特点:

1、 可靠的精度及重现性
恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置,将可以接收的误差降到低;范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声;软硬件有针对性的设计,确保每个实验数据均为多次测试的平均值,使仪器拥有非常好的数据重现性。
2、 产品小型化及操作简单化
小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K),确保仪器操作非常简单;两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB),使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量,区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。
3、 I-V曲线及I-R曲线测量
采用图表的方式,测量探针四点(ABCD)间电流-电压及电流-电阻关系,并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。
4、 多样的实验结果
实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。

 

 

产品组成:

主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。

[HMS-3000软件界面一]

 

[HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]

 

产品规格:

1、 主要仪器参数 
输入电流:1nA ~ 20mA;

电阻率:10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm;

载流子浓度:10exp7 ~ 10exp21 cm-3;

迁移率:1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec;

磁场强度:0.37T, 0.55T,  1T, 0.25~1T变场磁体;

样品测量板:PCB样品板,SPCB弹簧样品板,晶圆样品板等;

样品尺寸:5mmX5mm  ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板);

测量温度:常温,77K液氮浴;

2、 软件操作环境 
XP / Win7 / Win8 / Win10环境下


3、 实验结果
体载流子浓度、表面载流子浓度;
迁移率;霍尔系数;
电阻率,方块电阻;
磁致电阻;
电阻的纵横比率;


4、 仪器尺寸和重量
主机尺寸:360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸:200×120×110 mm (W×H×D)
净重:7.7千克;


5、 测量材料
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N)



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