4700 PHI 4700 AES俄歇分析仪

PHI 4700 AES俄歇分析仪在开发新材料及薄膜制程上，为了有助于了解材料组成间的相互作用及解决工艺流程的问题，材料组成或薄膜迭层的深度分析是非常重要的。
PHI 4700 AES俄歇分析仪使用了AES分析技术为基础，搭配灵敏度半球型能量分析器、10 kV LaB6扫瞄式电子枪、5 kV浮动柱状式Ar离子枪及高精密度自动样品座。针对例行性的俄歇纵深分析、微区域的故障分析，提供了全自动与及高经济效益的解决方法。
PHI 4700是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇扫描纳米探针。它提供了高度自动化，低成本、高效益的方案进行例行俄歇深度分析和微米范围的故障分析。 PHI 4700可以轻易的配备上互联网的设备，以供远程操作或监控之用。
全自动多样品纵深分析：PHI 4700薄膜分析仪在微小区域之纵深分析拥有的经济效益，可在SEM上特定微米等级之微小区域快速进行深度分析。图2显示长年使用的yi动电话镀金电极正常与变色两个样品之纵深分析结果，两者材质皆为镀金之锡磷合金。从电极二（变色电极）可看到金属锡扩散到镀金膜上，因为界面的腐蚀而产生氧及锡导致电极变色。
灵敏度半球型能量分析器：PHI 4700半球形能量分析器和高传输输入透镜可提供zui高的灵敏度和大幅缩短样品分析时间。除此之外，具有全自动的量测功能，此装置可在短时间内测量多个样品。 点选屏幕上软件所显示的样品座，可以记录欲量测的位置，对产品与工艺流程管理上之数据搜集可进行个别分析。
10 kV LaB6扫瞄式电子枪：PHI的06-220电子枪是基于一个以LaB6为电子源灯丝以提供稳定且长寿命电子枪的工具，主要在氩气溅射薄膜时进行深度分析。06-220电子枪还可以：产生二次电子成像，俄歇测绘和多点分析。在加速电压调节从0.2至10千伏。电子束的最小尺寸可保证小于80纳米。
浮动柱状式Ar离子枪：PHI的FIG5B浮动柱状式Ar离子枪:提供离子由5伏到5千伏。大电流高能量离子束被用于厚膜，低能量离子束（250-500 V）用于超薄膜。浮动柱状式，确保高蚀刻率与低加速电压。物理弯曲柱会阻止高能量的中性原子，从而改善了溅射坑形状和减少对邻近地区的溅射。
五轴电动样品台和Zalar方位旋转：PHI 15-680精密样品台提供5轴样品传送：X，Y，Z，旋转和倾斜。所有轴都设有马达及软件控制，以方便就多个样品进行的自动纵深分析。样品台提供Zalar（方位角）旋转的纵深剖析，利用旋转来降低样品在一个固定位置上的择优溅射，以优化纵深分析。
PHI SmartSoft用户界面：PHI SmartSoft是一个被认同为方便用者使用的操作仪器软件。软件透过任务导向和卷标横跨顶部的显示指导用户从输入样品，定义分析点，并设定分析。多个分析点的定义和zui理想样品的定位是由一个强大的“自动Z轴定位”功能所提供。预存多样的操作设定，可让新手能够快速，方便使用。
可选用配备：
热/冷样品座
样品真空传送管（Sample Transfer vessel）