PECVD-1200 PECVD开启式管式炉系统

PECVD开启式管式炉系统在真空压力下，加在电感线圈的射频电场，使反应室气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量，其本身温度很高，它与气体分子相碰撞，使气体分子活化。它们吸附在衬底上，并发生化学反应生成介质膜，副产物从衬底上解吸，随主气流由真空泵抽走，称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)。

PECVD开启式管式炉系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。

主要功能和特点：

1、PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等；

2、PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；

3、借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；

4、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成，zui高真空可达0.001Pa；

5、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制；

6、每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性；

7、采用KF快速法兰密封，装卸方便快捷；

8、管路采用世界*Swagelok卡套连接，不漏气；

9、超温、过压时，自动切断加热电源及流量计进气，使用安全可靠。

主要用途：

高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

技术参数：

SKGL-1200

开启式管式炉

控温方式

采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，并可编制30段升降温程序。

加热元件

0Cr27Al7Mo2

工作电源

AC220V 50Hz/60Hz

额定功率

4kw

炉管材质

高纯石英管

炉管尺寸

Φ60/Φ80*1200mm

工作温度

≤1150℃

zui高温度

1200℃

恒温精度

±1℃

恒温区

200mm

升温速度

≤10℃/min

密封方式

不锈钢快速法兰挤压密封

ZK-F

分子泵真空系统

真空范围

0.1-0.001Pa

极限真空

4.0*10^-4Pa

产品配置

双级旋片真空泵+分子泵

测量方式

复合真空计

真空规管

电阻规+电离规

冷却方式

风冷

工作电源

AC220V 50/60HZ

抽速

110L/S

射频电源系统

射频功率输出范围

5~500W

射频频率

13.56MHz±0.005%

噪声

≤55DB

冷却方式

风冷

功率温定度

± 0.1%

HQZ-Ⅳ

混气系统

流量规格

0－200sccm （可根据客户需要配置）

线性

±1.5%F.S

准确度

±1.5%F.S

重复精度

±0.2%F.S.

响应时间

≤8sec

耐压

3MPa

气路通道

4通道（根据客户需求）

针阀

316不锈钢

管道

Φ6mm不锈钢管

接口

SwagelokΦ6mm