NBN25-30GM50-E2 德国P+F倍加福光电传感器

德国P+F倍加福光电传感器NBN25-30GM50-E2上海大量上新

用字母表示电气输出

A、AO直流四线NPN常开＋常闭A2直流四线PNP常开＋常闭B3 总线系统

E、EO直流三线NPN常开El直流三线NPN常闭E2直流三线PNP常开E3直流三线PNP常闭

E4 直流三线NPN常开或常闭E5直流三线PNP常开或常闭E8直流三线PNP(二组输出）N、NO NAMUR常闭

lN NAMUR常开N3双稳态输出

N4 NAMUR常闭（二组输出>UO交直流二线、常闭

US交直流二线、常开w交流二线、常开或常闭wO交流二线、常闭

WS交流二线常开z0直流二线常开z1直流二线常闭

Z2直流二线常开或常闭Z4直流二线常开极性保护Z5直流二线常闭极性保护

光电传感器—般由处理通路和处理元件2部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能星就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3类:(1）在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等;(2）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等; (3）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏应，如光电池等。

光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。

德国P+F倍加福光电传感器NBN25-30GM50-E2参数：