型号	应用	样品尺寸
35-4	III-V, 或其他化合物半导	4’’
35-N	氮化物半导体	4’’或3X2’’
35-6	III-V或II-VI 或其他化合物半导体	4’’, 6’’或多片2’’
35-G-4	III-V化合物，SiGe	4’’
SM-6	Si，Ge，金属	4’’或6’’
S-8	Si，Ge，介质材料	8’’可配集成腔室
SVT-V	化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料	2’’或3’’
35-D	双生长腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半导体，铁磁材料	3’’或4’’
35-V	CIGS	3’’或4’’
NanoFab	II-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料	1’’或2’’
UVD-02	氧化物或其他介质材料	4’’, 可配有液态源
PLD-02	氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等	4’’, 激光/电子束沉积
35V14	化合物半导体，氮化物，氧化物，铁磁材料	14’’或多个小尺寸

SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。

Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，样品尺寸可达6英寸。

可容纳10个cell。

真空度< 1×10-10Torr。

可配普通束流源、裂解源、RF源、电子束蒸发源。

Model 35-N-V 标准4''衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。

可容纳10个cell。

真空度< 1×10-10Torr。

设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。

氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。

26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。

真空度< 1×10-10Torr。

此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。

该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。

氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。

Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。

真空度< 1×10-10Torr。

可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。

美国SVT公司MBE分子束外延系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。

SVT-35等美国SVT公司MBE分子束外延系统

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