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电子束蒸发系统是按照“从实验室到工厂”的方法设计的电子束镀膜蒸发系统,既适用于密集的研发活动，也适用于中试生产。
考虑到“提离”工艺的具体特点，该电子束蒸发系统适用于直径不超过200mm的单晶片以及安装在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉积。
电子束蒸发系统特点
•工艺室由不锈钢制成，配有ConFlat密封件、集成壁水冷却和基于500 l/s强大离子泵的干式泵送系统
•系统设计在微波电子用半导体器件生产中得到了很好的验证
•采用专门开发的“掩模”技术，厚度不均匀性在直径达200 mm的基板支架上小于±2.5%
•通过在350-500mm范围内改变“基板到蒸发器”的距离来优化材料消耗的能力；特别是，工作距离为350 mm时，黄金消耗量为3÷4 g/μm
•基于GaAs/InGaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的HEMT的接触电阻分别为0.1~0.25和0.3~0.5 Om×mm（在STE RTA100系统中接触退火后）
•开发了基于ITO薄膜的p-GaN透明接触
•铝沉积速率不低于60Å/s
•W沉积速率不小于1Å/s
从支架中心到钛层∅180 mm（3×∅3''晶圆）的厚度分布，在STE EB71（旋转，“掩模”技术）获得。

电子束蒸发系统规格参数
沉积腔体内剩余压力:<5×10-7Torr
达到预处理真空的时间（<5×10^-8Torr）:   不超过20min
离子束（离子能20~300eV): 可选配
加热处理晶圆数量：：500 （900可选）
沉积腔烘培温度：   150℃
同事处理晶圆： 6个@2英寸，3个@3英寸，1个@∅100mm，∅150mm，∅200mm
电子束蒸发阴极功率：6KW
加速电压：8KV