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PECS II精密刻蚀镀膜仪

2024-03-28

产      地:
暂无
所在地区:
上海上海市
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PECS II精密刻蚀镀膜仪




仪器简介:

PECS II精密刻蚀镀膜仪是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设备。

对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀膜。

一款独立、结构紧凑的台式设备。采用两个宽束氩离子源对样品表面进行抛光, 去除损伤层,从而得到高质量样品,用于在 SEM, 光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

采用 WhisperLok®技术,可选 配温控液氮冷却台。该功能有助于避免抛光过程 中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化。

PECS II内置了一个 10 英寸的触摸屏。不管新手还是专家级用户,都可提高样品的加工可控性 及可重复性。数码变焦显微镜配合 DigitalMicrograph® 软件,可实现对样品加工过程的实时 监控及储存彩色照片,这便于在SEM中进行样品检查和分析。


性能优点:

  • WhisperLok 系统: 无需破坏主样品室真空即可装卸样品。

  • 低能聚焦潘宁离子枪:可加工对表面损伤敏感的样品,包括 EBSD和 CL。

  • 能量从0.1 – 8.0 keV可调: 改进低能抛光效果,减少非晶层;提供更高的能量,以提高抛光速度。

  • 液氮样品冷却: 保护样品,避免离子束热损伤,去除可能的假象。

  • 10 英寸触摸屏控制:快速,简便地访问所有的控制参数;无需电脑。

  • 数码变焦显微镜: 实时监控加工过程。

  • DigitalMicrograph 软件彩照存储: 将存储的光学图像与其他分析系统的数据做关联分析。

  • 溅射沉积: 溅射靶材至样品表面,防止样品在 SEM/FIB 中发生荷电。



主要应用:

  • 半导体

  • 金属(氧化物,合金)

  • 陶瓷

  • 自然资源


技术规格:


离子源

离子枪
两个配有稀土磁铁的潘宁离子枪
抛光角度
0 到18°,每支离子枪可独立调节
离子束能量 (kV)
0.1 – 8.0
离子束流密度峰值(mA/cm2)
10
抛光速率 (µm/h)
90(对于硅试样)
离子束直径
可用气体流量计或放电电压来调节
样品台

样品大小(长 × 宽 ×高, mm)
32 × 15
转速 (rpm)
1 – 6
离子束调制
角度范围可调的单向调制或双向调制
样品观察
数码变焦显微镜,配有 PC 及 DigitalMicrograph 软件(选配件)
真空系统

干泵系统
两级隔膜泵支持 80 L/s的涡轮分子泵
压力 (torr)

基本压力
5 × 10-6
工作压力
8 × 10-5
真空规
冷阴极型,用于主样品室;固体型,用 于 前级机械泵
样品气锁
WhisperLok技术,样品交换时间小于1 分钟
用户界面

10 英寸彩色触摸屏
操作简单,且能够控制所有参数和配方式操作
尺寸及使用要求

外形尺寸 (长 × 宽× 高, mm)
575 × 495 × 615
运输重量(kg)
45
功耗 (W)

运行时
200
待机时
100
电源要求
通用 100 – 240 VAC,50/60 Hz(用户额定电压和频率)
氩气(psi)
25



订货编号:LR-200636



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