超2.6亿预算！中国科学院微电子研究所采购大批仪器设备

中国科学院微电子研究所采购意向汇总表

序号

项目

需求概况

预算金额/万元

采购时间

1

12吋高温炉管系统

该设备用于用于STI（浅层隔离技术）中FCVD或SOD填充后的介质固化工艺

1280

2026年11月

2

12吋介质化学气相沉积系统

主要用于实现氧化硅（SiO）、氮化硅（SiN）薄膜沉积，采用原子层沉积（ALD）的沉积模式。膜厚范围：50～200 Å；工艺温度范围：570～630℃。沉积速率范围：≥1.5Å/分钟（ALD模式），折射率范围：1.99～2.01，颗粒：<30 @>0.037um，湿法腐蚀速率：≤10 Å/min@1%HF，台阶覆盖率：≥95%。 晶圆内厚度均匀性：<1.5%，晶圆间厚度均匀性：<1.5% ，批间厚度均匀性：<1.5%。

1300

2026年11月

3

12吋介质化学机械抛光系统

该设备用于先进逻辑GAA/CFET器件晶圆表面复杂凸起图形的高精度平坦化，是获得表面高度平整浅沟槽隔离（STI）的核心工艺设备。同时也可以用前段关键层POP、ILD等平坦化。

3200

2026年11月

4

12吋大束流低能离子注入机

设备名称：12吋大束流低能离子注入机。最低实现温度-100℃低温注入，主要用于先进逻辑工艺中源漏注入。采购数量1台。

3365

2026年9月

5

高介电常数介质原子层沉积工艺设备

该设备用于HfLaO、Al2O3、HfZrO介质生长，以实现良好立体填充覆盖，实现有效器件阈值调节。HfLaO具备超高k值，可用于降低EOT，减少漏电，增强新型纳米环栅器件性能；HfZrO呈现铁电特性，使用其做为高k栅介质，可有效提升器件亚阈值摆幅；Al2O3用于PMOS器件功函数调整，可以微小厚度空间代价实现合适功函数，节省沟道空间。

2694

2026年9月

6

12吋单片晶背清洗机

该设备用于晶圆背面的专项处理，核心用途包括背部氮化硅/氧化硅/非晶硅去除：精准剥离背面残留的SiN、SiO？、a-Si等膜层，防止后续工艺中因膜层脱落导致的颗粒污染和器件失效；背部金属沾污清除：去除晶背因工艺环境引入的金属离子沾污，避免高温工艺中金属扩散至正面；背部颗粒与残留物清除：去除刻蚀后聚合物、光刻胶残留等有机和无机污染物，确保背面清洁度。

2430

2026年9月

7

微区电子透射键合系统

微区电子透射键合系统 (1)加速电压：0-60kV可调，稳定度优于1%； (2)最大功率：6kW； (3)束流调节范围：0-100mA，稳定度优于1%； (4)工作范围：60-300mm； (5)最大热熔深度：18mm； (6)设备可实现3班连续24小时工作； (7)X射线泄漏量：＜1µGy/h； (8)设备具有工艺参数记录和读取功能。在辐照过程中，包括高压、束流、聚焦电流和辐照速度等参数均可以在工艺过程中改变； (9)电源采用高频谐振软开关技术，频率可达35kHz以上，屏幕可实时显示高压电源的工作频率及相关状态； (10)设备采用工控机控制，上位机软件能够实时显示系统状态及相关参数，并能够通过电脑控制整套设备运行； (11)具有电子束扫描功能，（正弦波、三角波、锯齿波等）三种波形以上可选，正弦波等波形频率不低于2kHz； (12)真空室带有附加辅助照明； (13)电子枪口带有附加辅助照明，用于辐照区域观察； (14)光斑直径10mm以下可控； (15)局部定位测温传感器，温度测量范围0℃~1000℃，测温精度±0.1℃。

183

2026年8月

8

高真空反应腔真空规自动检测及修正系统

a.真空系统及机组： 真空规测试范围：1E-5Pa～1E5Pa 主测试室密封漏率：≤1E-9Pa·m³/s 真空机组：涡轮分子泵+干泵 b.恒温箱: 恒温箱温度范围：10～55℃ 均匀性：±0.5℃ c.控制系统： 可编程控制器+智能仪表控制 工控机+高速数据采集卡，高速、高精度采集测量数据 实验数据：标准规、待测规、温度（多点）、标准规（高速）以图表形式显示数据变化趋势 d.工作条件： 电力供应：三相380V，±10% 工作温度：20℃±10℃ 相对湿度：20～70% e. 系统功能 具备设定压力自动调节功能，控制范围 1E10-4 Torr to 1000Torr，控压精度≤5% 具备检测流程预设定功能，包括量程、精度、温漂、零漂、稳定性、响应速度等功能； 具备检测数据实时记录、制图、计算功能； 具备1KHz采样速度； 具备0.1Torr~1000Torr的量程控制能力"

300

2026年8月

9

高精度超微孔成型设备

完成基于大尺寸高叠层埋入式FCBGA封装基板的chiplet组件垂直供电解决方案，需要在FCBGA基板中埋入电源转换芯片，通过高精度超微孔成型设备引出芯片电极。攻克Chiplet技术在高电压等级与高热流密度制约下的稳定工作难题，解决高电流密度供电能力关键瓶颈技术。项目承担单位目前无相关设备，急需该设备支撑项目研发。

750

2026年8月

10

等离子增强化学气相沉积设备

用于生长逻辑芯片制造中最核心的6类介质与半导体薄膜，具体包括：二氧化硅（SiO？）、氮化硅（SiN）、氮氧化硅（SiON）、碳掺氧化硅（SiCO）、先进图形化膜（APF）以及非晶硅（a-Si）。这6类薄膜分别承担绝缘隔离、刻蚀阻挡/钝化保护、抗反射层、低介电常数（低k）延迟减小、光刻图形化辅助以及结构支撑等关键功能，贯穿逻辑芯片从前端器件到后端互连的全流程。

3600

2026年7月

11

光学膜厚仪

用于集成电路制造工艺中氧化、CVD、PVD、ALD、光刻、刻蚀、CMP等关键工艺的薄膜参数在线厚度监控需求。该设备可对SiO？、SiN、SiON、SiCO、APF、a？Si、High？K、金属栅等各类单层/多层薄膜的膜厚、复折射率（n&k）、反射率、薄膜应力进行稳定、高精度、高产能量测。

1000

2026年7月

12

12吋非晶硅与多晶硅化学气相沉积系统

主要用于前段多晶硅非晶硅化学气相沉积，能实现器件多晶硅非晶硅掩膜和假栅薄膜的沉积。采购数量1台。

1150

2026年7月

13

12吋低介电常数介质热原子层沉积系统

设备名称：12吋低介电常数介质热原子层沉积系统，在CFET结构刻蚀后，需要填充适当的low-k介质以减少寄生电容，提高信号传输速度。low-k介质即低介电常数材料，它们在减小线间电容、降低功耗以及提升整体性能方面发挥着不可或缺的重要作用。采购数量1台。

1850

2026年7月

14

12吋大束流低能离子注入机

设备名称：12吋大束流低能离子注入机。最高实现温度200℃高温注入，主要用于先进逻辑工艺中SDE(LDD)注入和WAC（Wrap-AroundContact）注入。采购数量1台。

3365

2026年7月

15

等离子刻蚀软件模型

包含图形化用户界面和计算模块，对等离子体放电、中性粒子输运、中性流体流动、靶材粒子溅射、薄膜生长演化、刻蚀形貌演化等工艺进行数值模拟，用于磁控溅射工艺、PECVD工艺、原子层沉积（ALD）工艺、刻蚀工艺腔体内组分计算和基底刻蚀沉积过程计算。 1.磁控溅射工艺 包括：1) 计算磁铁磁场；2) 采用PIC-MCC算法计算气体放电，获得到达靶材壁面的离子流量能量角度参数；3) 离子轰击靶材、靶材溅射粒子计算；4) 靶材粒子空间输运计算；5）靶材粒子在基底沉积成膜，即薄膜生长过程计算。放电计算支持二维直角坐标系、圆柱坐标系模型和并行计算；支持直流和射频阴极电压设置和功率控制；支持腔体内低气压放电计算，气压范围：0.2Pa--1Pa。计算结果包括电子、离子、靶材粒子的密度、温度、速度、流量、电场强度、电位分布、薄膜形状等结果数据。 2.PECVD工艺 采用流体、流体-电子蒙特卡洛混合算法计算PECVD腔体内的放电组分演化和基底的薄膜生长；支持单电极、多电极、单频、双频及功率设置。软件内应包含常用气体的碰撞截面或者反应方程数据库，包括SiH4、Si2H6、CH4、C2H6、C2H4、C2H2、C3H6、C3H8、NH3等组分数据。支持化学、物理气相沉积即薄膜生长过程计算。放电计算支持二维直角坐标系、圆柱坐标系模型和并行计算。计算结果包括电子、离子、中性组分的密度、温度、速度、流量、电场强度、电位分布、薄膜形状等结果数据。 3.ALD工艺 采用直接蒙特卡洛算法模拟腔体内多组分气体分子的碰撞和输运过程；可以计算三维任意形状空间的稀薄气体输运，即计算克努森数为0.1--10的过渡流；可以设置ALD壁面吸附饱和值；支持导入非结构网格模型；可以输出中性各组分粒子的密度、温度、速度空间分布；可以统计各组分粒子到基底的流量分布；支持运动基底壁面（直线运动、旋转运动、自转+公转）。支持并行计算。 4.刻蚀工艺 对典型CCP、ICP工艺的放电组分演化和刻蚀过程进行计算；支持流体、流体-电子蒙特卡洛混合、粒子算法放电计算；支持单电极、多电极、单频、双频及功率设置。软件内应包含He、Ar、Ne、Kr、Xe、Cl2、CF4、SF6、CHF3、HBr、C2F6、C4F8、BCL3、NF3、SiCl4、HF、O2、N2、H2、F2、Cl2、N2O等组分气体的碰撞截面或反应方程数据库。支持各组分对基底的物理、化学刻蚀形貌演化过程计算。放电计算支持二维直角坐标系、圆柱坐标系模型和并行计算。计算结果包括电子、离子、中性组分的密度、温度、速度、流量、电场强度、电位分布、刻蚀形貌等结果数据。"

310

2026年7月