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Nexperia将在汉堡投资2亿美元扩大研发与生产
2024年07月03日 15:15:17
来源：化工仪器网 点击量：6436
近日，全球知名的半导体制造商Nexperia（安世半导体）将在德国汉堡投资2亿美元（约合1.84亿欧元），以扩大其研发和生产能力，专注于下一代宽禁带半导体产品（WBG）如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的研发与生产。
【化工仪器网 厂商报道】 在全球经济一体化的大背景下，跨国投资已成为推动各国经济发展的重要力量。近日，全球知名的半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布了一项重大投资计划，将在德国汉堡投资2亿美元(约合1.84亿欧元)，以扩大其研发和生产能力，专注于下一代宽禁带半导体产品(WBG)如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的研发与生产。这一举措不仅标志着Nexperia在电气化和数字化领域技术支持的深化，也为其汉堡洛克施泰特工厂的百年历史增添了新的辉煌篇章。
此次投资是在汉堡洛克施泰特工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布的。Nexperia计划利用这笔资金在汉堡工厂建立生产基础设施，以支持SiC和GaN等宽禁带半导体产品的规模化生产。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能也将得到显著提升，以满足市场对高效功率半导体日益增长的需求。
Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将覆盖全系列的宽禁带半导体，同时仍是最大的小信号二极管和晶体管工厂。我们将继续坚定执行我们的战略，为标准应用和高耗能应用生产高质量、具有成本效益的半导体，同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，同时减少对环境的影响。”
SiC和GaN半导体在数据中心等高功率应用中展现出出色的效率，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，对实现脱碳目标具有重要意义。Nexperia计划从2024年6月开始，在德国研发和生产SiC、GaN和Si三种技术，并已经于同月投入使用了第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线。未来两年，汉堡工厂还将建立现代化、经济高效的200毫米SiC MOSFET和GaN HEMT生产线，进一步推动技术升级和产能扩大。
除了技术升级和产能扩大，Nexperia还计划实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，并逐步转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。随着洁净室区域的扩大，新的研发实验室正在建设中，以确保从研究到生产的无缝过渡。这些举措将显著提升工厂的生产效率和产品质量，为全球客户提供更加优质的半导体产品。
Nexperia的此次投资不仅推动了技术进步，还预计能够刺激当地经济发展，为汉堡和整个欧洲创造更多的就业机会，并增强欧盟半导体自给自足的能力。Nexperia与大学和研究机构密切合作，共同分享专业知识并推动高素质的员工培训，确保产品持续创新和技术领先。
Nexperia德国首席财务官兼常务董事Stefan Tilger表示：“计划中的投资使我们能够在汉堡开展宽禁带芯片的设计和生产。然而，SiC和GaN对于Nexperia来说绝不是新领域。自2019年起，我们的产品组合中就包括GaN FET，而在2023年，我们还与三菱电机合作，扩展了产品范围，加入了SiC二极管和SiC MOSFET。Nexperia是少数几家能够提供全线半导体技术产品系列的供应商之一，包括Si、SiC和涵盖了E-mode和D-mode的GaN。这意味着，我们为客户提供了一站式服务，能够满足他们所有的半导体需求。”
自1924年Valvo Radioröhrenfabrik成立以来，汉堡洛克施泰特工厂不断发展壮大，如今已成为全球约四分之一的小信号二极管和晶体管需求的供应基地。自2017年从NXP分拆以来，Nexperia在汉堡工厂投入了大量资金，员工人数从950人增加到1600人左右，并将技术基础设施升级到了先进的水平。这些持续的投入充分展示了Nexperia致力于保持行业领先地位并为全球客户提供创新解决方案的决心。
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