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三维垂直场效应晶体管问世 可用来生产高密度数据存储器件
2022年06月16日 09:03:50
来源：化工仪器网 作者：羊舌木 点击量：4472
该项器件在至少1000个周期内都可保持稳定，并且研究人员还使用第一原理计算机模拟绘制了最稳定的表面状态。新方法或将极大地改善非易失性存储器，催生新的更小、更环保的数据存储器，有助于实现下一代消费电子产品。
【化工仪器网 项目成果】存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储管理要实现的目的是为用户提供方便、安全和充分大的存储空间。随着近年来的发展, 存储器的变化日新月异, 各种新型存储器进入市场, 普及针对新型存储器的维护方法已经迫在眉睫。
在存储器的尺寸、容量和可负担性方面，消费类闪存驱动器已取得了巨大的进步，但新的机器学习和大数据应用程序正继续推动对创新的需求。此外，支持云的移动设备和未来的物联网节点也需要节能且体积更小的内存。而当前的闪存技术却需要相对较大的电流来读取或写入数据。
反铁电场效应晶体管(FET) 可以非易失性方式存储1和0，这便意味着它不需要一直供电。东京大学工业科学研究所科学家开发了一种基于铁电和FET的概念验证3D堆叠存储单元，该晶体管具有原子层沉积的氧化物半导体通道，其垂直设备结构还增加了信息密度并降低了操作能源需求。此外，他们还发现通过使用反铁电体代替铁电体，只需要很小的净电荷，就能够提高写入的效率。
经验证，该项器件在至少1000个周期内都可保持稳定，并且研究人员还使用第一原理计算机模拟绘制了最稳定的表面状态。新方法或将极大地改善非易失性存储器，催生新的更小、更环保的数据存储器，有助于实现下一代消费电子产品。
(资料来源：科技日报)
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