GB/T 4937.17-2018/IEC 60749-17:2003半导体器件  机械和气候试验方法第17部分∶中子辐照

1  范围

GB/T4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。

试验目的如下∶

a）  检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；

b）确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内（见第4章）。

2  试验设备

2.1  测试仪器

辐射试验中采用的测试仪器应是能测量所要求电参数的标准实验室电子测试仪器，如电源、数字电压表和皮安培计等。

2.2  辐射源

试验中采用的辐射源应是脉冲反应堆。

2.3  剂量测定设备

a） 快中子阙值活化箔，如"S、"Fe和"Ni；b） CaF等热释光剂量计（TLD）

c） 适用的活化箔计数设备及TLD读出设备。

2.4  剂量测定

2.4.1  中子注量

通过测定同时受辐照的快中子活化箔如"S、"Fe和"Ni中感生的放射总量，可获得用于器件辐射的中子注量。

把活化箔中测得的放射量换算到中子注量的标准方法由有关标准给出。由箔的放射量换算到中子注量，需要确定人射在箔上的中子谱。如果不知道中子谱，应用国家标准或其他等效方法来确定。

一旦确定了中子谱，并计算出等效的单能量注量，就应在随后的辐照试验中采用适当的监测箱（如"S、"Fe和"Ni）确定中子注量。因而，中子注量就可以利用单元监测箔上接受的单能量中子注量来表征。利用监测箔得到的单能量中子注量仅在能谱保持不变时有效。

2.4.2  剂量测量

如果要求检查器件在试验中的Y射线吸收剂量，应采用热释光剂量计（TLD）或等效的方法来确定。热释光剂量计的使用应满足国家标准或其他等效方法。