产品推荐:气相|液相|光谱|质谱|电化学|元素分析|水分测定仪|样品前处理|试验机|培养箱


化工仪器网>技术中心>技术参数>正文

欢迎联系我

有什么可以帮您? 在线咨询

电子元器件所能承受的静电破坏的电压是多少

来源:深圳市辰仪科技有限公司   2019年01月04日 10:06  

电子器件所能承受静电破坏的静电电压是多少,相信大家都不知道吧,下面我们就一起来看看吧。

以下是一些参考资料中给出的数据:

  器件类型

静电破坏电压(V) 

    器件类型     

静电破坏电压(V) 

  VMoS     

  30~1800        

  OP-AMP         

  190~2500        

  M0SFET   

  100~200        

 JEFT           

  140~1000        

  GaAsFET  

  100~300        

 SCL            

  680~1000        

  PROM     

 100            

 STTL           

  300~2500        

  CMoS     

  250~2000        

 DTL            

  380~7000        

  HMOS     

  50~500         

  肖特基二极管   

  300~3000        

   E/DMOS  

  200~1000       

 双极型晶体管   

  380~7000        

ECL      

  300~2500       

 石英压电晶体

  <10000          

从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏,而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。

要想获得某个元器件的所能能承受的静电电压要通过试验才能测得。按照国内标准,一般使用静电放电敏感度测试仪:

电子元器件静电敏感度的试验主要用ESS-6008/ESS-6002半导体静电放电模拟试验器,而用电子元器件组装成组件、整机的电子设备静电试验则用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A静电放电模拟试验器来做试验。

免责声明

  • 凡本网注明“来源:化工仪器网”的所有作品,均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-化工仪器网合法拥有版权或有权使用的作品,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明“来源:化工仪器网”。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
  • 本网转载并注明自其他来源(非化工仪器网)的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品第一来源,并自负版权等法律责任。
  • 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
企业未开通此功能
详询客服 : 0571-87858618