金武士蓄电池PW38-12 12V38AH现货及参数

金武士蓄电池PW38-12 12V38AH现货及参数

--金武士蓄电池电源设备有限公司成立于2002年，中国制造基地设于广东省佛山市禅城区，产品获得CE认证，获得TUV ISO9001品质认证，金武士蓄电池一直致力于为高品质电源设备的设计、制造和服务，确保消费者在多渠道得到完善的售前售后服务

-----自成立以来，金武士蓄电池公司一直专注研究企业在进入发展中过程中遇到的电力环境挑战，以及不 同的电力环境可能给发展中和地区，尤其是自然条件恶劣地区带来的发展机会不均衡，并致力于解决这一问题。

-----金武士电力保护、电力转换、电力储备三个产品系列及完备的系列产品。其中电力保护部门就有中国员工达500余人，UPS生产车间占地20000平方米，产能达到60万台/年，销售额超过1亿元.电力 储备部门年产蓄电池数量达120万，制造中心设计年产能更高达65万千伏/安时，除部分供给新光宏锐旗下金武士品 牌UPS产品外，大部分进入在南中国地区的集中采购序列。

今天，经过与科研、学术机构的合作，金武士提出“UPS应用环境专家”的业界标准，集中精力解决过去不少昂贵的UPS忽视应用环境挑战、成本挑战和技术人员挑战的问题，制造严苛环境内的“高适用性UPS系统”。过去十几年中，新推出的金武士UPS设备及相关的电力储备、电力转换设备已经被广泛应用于南亚、西亚、非洲、拉丁美洲的190多个和地区，其中包括喜玛拉雅山脉等的通讯站、印度阿萨姆邦山区窄轨铁 路系统，也被金融行业、精密制造、地铁等关键部门广泛采用。

金武士系列阀控密封式免维护铅酸蓄电池采用高性能极板、技术AGM隔板、高纯度电解液及ABS材料池壳制成，综合性能与一般普通阀控铅酸蓄电池相比有如下特点：
1、长寿命
采用添加稀土金属的铅合金制造板栅，比一般铅钙锡合金板栅电池的寿命提高25%；
加强正板栅筋条，耐腐蚀性比传统设计有较大提高。
2、绿色环保
采用分层封口技术，电池的漏酸、爬酸现象，有效防止酸雾对设备和环境的腐蚀。
3、高可靠性
利用的装配工艺结合严谨的质量管理体系，提高电池抗震性能，有效避免电池的虚焊和假焊以及在运输和使用中因震动而造成的故障；
电池内阻均一性高，大大改善多组电池并联使用时出现不均一的现象。
4、内阻小
采用添加特种纤维的隔板，提高正、负极板的反应接触面，使电池内阻大幅度降低，并可以改善在使用过程中不会出现因隔板的耐疲劳性下降而内阻升高的现象；
采用50-60kps装配压力，有效改善注酸后极群压力减少导致电池内阻在使用异常增大的现象出现。
5、自放电小
使用分析纯级别电解液，合理的配置添加剂，有效降低电池自放电速率。
6、高安全性
进口橡胶制成的安全阀，动作有效性持久、抗老化、抗腐蚀，有效地确保产品在使用过程中内部压力的安全性。

·技术支持体系

1、 金武士UPS产品的应用：
1）低负载、单系统与设备的电力保障适用产品系列：
DK、MT、DA系列：ATM机、POS机、自助回单打印机、办公电脑、柜台终端操作 设备、立监控设备等，满足负载3KVA以下的设备与系统；

2）高负载数据中心、机房等IT系统类的电力保障适用产品系列
在线式TD系列、RST系列：中心及各级管理服务器系统、中心及各级存储服务器系统、图像显示服务器系统、总行及各级监控网、监控客户端系统等电力供应与保障体系。可提供1-200KVA负载的UPS电源产品。

3）小中型信息处理中心及设备电力保障适用产品系列
ST系列、ST机架式系列：小中型数据机房、服务器系统、各级存储设备、图像显示系统等设备，可提供负载1-20KVA的产品；并机可达400KVA

4）中小机房一体化产品
金武士RM系列模块化UPS、机房一体化UPS电源系统等解决方案，融合整体机房的设计理念，为用户提供一个集电源配置、动力环境监测、远程管理等功能于一体的中小型数据中心物理基础解决方案。一体化机房根据需要，机柜可选配防雷模块、ATS模块、市场电输入模块、市场电分配模块、系统旁路模块、UPS模块、备用电池模块、输出分配模块等。

为达到智能的需求，越来越多的数据中心网络正朝着IP整合的方向发展。整合有利于减轻管理多个系统和复杂网络的压力。在可预见的未来，将视频、数据、语音、无线、工厂控制、楼宇控制、楼宇设备和工厂设备整合到一个单一的IP网络之中的智能化解决方案将是发展的主要趋势。
网络智能化的实现需要依靠数据中心中部署的智能化的基础设施管理系统。智能基础设施管理系统不仅仅包括硬件,它是为帮助您记录、管理和监控您的物理网络基础设施而设计的一套全面支持的综合性解决方案。基础设施操作软件可让您了解硬件设施，比如网络设备、IP端点和其他系统的信息，从而掌握有关网络层设备如何映射到物理层的知识。硬件与软件的结合，将使您获得对物理层基础设施*的控制能力。您将具备实时、全面了解物理网络基础设施以记录、计划和执行变更所需要的一切条件。

微软之所以加入HMCC，是因为正在考虑如何对应很可能会成为个人电脑和计算机性能提升的“内存瓶颈”问题。内存瓶颈是指随着微处理器的性能通过多核化不断提升，现行架构的DRAM的性能将无法满足处理器的需要。如果不解决这个问题，就会发生即使购买计算机新产品，实际性能也得不到相应提升的情况。与之相比，如果把基于TSV的HMC应用于计算机的主存储器，数据传输速度就能够提高到现行DRAM的约15倍，因此，不只是微软，微处理器*美国英特尔等公司也在积极研究采用HMC。

其实，计划采用TSV的并不只是HMC等DRAM产品。按照半导体厂商的计划，在今后数年间，从承担电子设备输入功能的CMOS传感器到负责运算的FPGA和多核处理器，以及掌管产品存储的DRAM和NAND闪存都将相继导入TSV。如果计划如期进行，TSV将担负起输入、运算、存储等电子设备的主要功能。

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