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北京华瑞鼎盛科技有限公司>>国产蓄电池>> 迈威电池迈威铅酸蓄电池MW55-12 12V55AH 尺寸及规格

迈威铅酸蓄电池MW55-12 12V55AH 尺寸及规格

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参考价90-1130
具体成交价以合同协议为准
  • 迈威电池

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  • 其他品牌

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  • 生产商

    经销商
  • 北京市

    所在地
规格
12V7AH90元300 件 可售
12V12AH150元300 件 可售
12V17AH190元300 件 可售
12V24AH225元300 件 可售
12V33AH290元200 件 可售
12V40AH320元200 件 可售
12V50AH400元200 件 可售
12V65AH420元200 件 可售
12V80AH520元200 件 可售
12V100AH600元200 件 可售
12V120AH660元200 件 可售
12V150AH890元200 件 可售
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更新时间:2021-07-30 21:11:33浏览次数:611

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产品简介

供货周期 现货 应用领域 化工,能源,电子,电气,综合
主要用途 UPS蓄电池
我公司所售的蓄电池保证是原装产品,,签订合同.38Ah以上蓄电池质保三年(含38Ah),三年内出现任何非人为质量问题,我司免费更换型号相同的全新蓄电池,请广大客户放心购买!
迈威铅酸蓄电池MW55-12 12V55AH 尺寸及规格

详细介绍

迈威铅酸蓄电池MW55-12 12V55AH 尺寸及规格

迈威铅酸蓄电池MW55-12 12V55AH 尺寸及规格

1)IGBT构成高频整流器的整流波形
  
  用IGBT构成的高频整流器和用晶闸管一样是对输入电压波形实行切割,所不同的是,晶闸管是对输入电压波形实现集中切割,需要多少切割多少;而且BT是对输入电压波形实行均匀地高频切割,如图2.18所示。有的是频率固定而切割宽度可调,有的是宽度固定而频率可调,这样做的目的是为了使输入电流和电压同相,达到输入功率因数为l的目的。既然如此,就和用晶闸管时不一样了,是不是就可以将输人电压的变化范围变得很大呢?事情也并非如此简单。为了说明这个问题,不得不从IGBT的性质说起,而且IGBT将是图2.18用IGBT作高频整流器的切割波形情况今后UPS中的主导器件。


  
  2)IGBT的性能
  
  IGBT称做绝缘门极双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor),它是综合了功率场效应管MOSFET和达林顿晶体管GTR二者的优点的一种器件。由表2.1可以看出它们之间的关系。

1000 (1).jpg

迈威蓄电池产品优势:
深度放电后回充性强,甚至在放电后在未及时补充电的情况下容量能得到回充。
是的用于循环使用的电池——适于每天使用。
长时间放电具有优越的性能。
更适合于高温环境使用。
适于电力干线供电不稳定的环境。
无流动性的胶体电解液,使电解液在电池内部不产生分层现象。
无需平衡充电。

非常准确的酸量控制,有效地保护了正极板并提高了电池寿命。
采用厚极板,减小了板栅的腐蚀,并提高循环寿命。
内阻低,充电接受能力强。
与铅酸电池相比,在正常的充电条件下,电池内部水份损耗非常小。
*造就的高分子聚合物隔板,提高了电池的性能及寿命。
隔板机械强度隔板的应用,避免了短路的产生的可能。

迈威蓄电池型号参数表:

电池型号

额定电压(V)

容量(Ah)

重量约(kg)

外观尺寸

端子类型

MW7-12

12

7

2.5

151

66

98

/

MW12-12

12

12

3.8

151

94

98

/

MW17-12

12

17

5

181

77

167

T2

MW24-12

12

24

6.5

166

126

174

T4

MW33-12

12

33

11

197

166

174

T32

MW38-12

12

28

12

197

166

174

T32

MW40-12

12

40

12.5

197

166

174

T32

MW55-12

12

55

16.5

230

138

211

T9,T16

MW65-12

12

65

20

350

166

179

T9

MW100-12

12

100

30

407

174

209

T10

MW120-12

12

120

37

407

174

233

T11

MW150-12

12

150

42.5

484

170

240

T46

MW200-12

12

200

60

522

240

216

T11

1002438.jpg


迈威蓄电池

1.维护简单
充电时,电池内部产生的氧气大部分被极板吸收还原成电解液,基本没有电解液减少。

2.持液性高
电解液被吸收于隔板中,保持不流动状态,所以即使倒下也可使用。(倒下超过90度以上不能使用)

3.性能
由于过充电操作失误引起过多的气体可以放出,防止电池的破裂。

4.自放电极小
用特殊铅酸合金生产板栅,把自放电控制。

5.寿命长、经济性好
电池的板栅采用性好的特种铅,同时采用特殊隔板能保住电解液,再同时用强力压紧正板活性物质,所以是一种寿命长、经济的电池。

6.内阻小
由于内阻小,大电流放电特性好。

7.深放电后有优良的恢复能力
万一出现长期放电,只要充分充电,基本不出现容量降低,很快可以恢复。
通讯电源 不间断电源 应急灯 电力系统
警报系统 太阳能系统 玩具 设备

迈威蓄电池特点:

1. 性能好:在正常使用下无电解液漏出,无电池膨胀及破裂。
2. 放电性能好:放电电压平衡,放电平台平缓。
3. 耐振动性能好:*充电状态的电池*固定,以4㎜的振幅,16.7Hz的频率振动1小时,无漏液,无电池膨胀及破裂。开路电压正常。
4. 耐冲击性好:*充电状态的电池从20cm高处自然落至1cm厚的硬木板上3次。无漏液,无电池膨胀及破裂。开路电压正常。
5. 耐过放电性好:25摄氏度,*充电状态的电池进行定电阻放电3星期(电阻值相当于该电池1CA放电要求的电阻),恢复容量在75%以上。
6. 耐过充电性能好:25摄氏度,*充电状态的进行0.1CA充电48小时,无漏液,无电池膨胀及破裂。开路电压正常。容量维持率在95%以上。

7. 耐大电流性好:*充电状态的2CA放电5分钟或10CA放电5秒钟。无导电部分熔断,无外观变形。

迈威蓄电池保护和养护:

在运用UPS供电体系的进程中,大家通常片面地以为蓄电池是免保护的而不加重视。但是有资料标明,因蓄电池毛病而致使UPS主机毛病或作业不正常的份额大约为1/3。由此可见,加强对UPS电池的准确运用与保护,对延伸蓄电池的运用寿数,下降UPS电源体系毛病率,有着越来越重要的含义。除了选配正规品牌蓄电池以外,应从以下几个方面下手准确地运用与保护蓄电池:

(1)   坚持恰当的环境温度。影响蓄电池寿数的重要因素是环境温度,通常电池生产厂家请求的最好环境温度是在20℃~25℃之间。尽管温度的添加对电池放电才干有所进步,但支付的价值却是电池的寿数大大缩短。据实验测定,环境温度一旦逾越25℃,每添加10℃,电池的寿数就要缩短一半。现在UPS所用的蓄电池通常都是阀控式密封铅酸蓄电池,规划寿数遍及是5年,这在电池生产厂家请求的环境下才干到达。达不到规则的环境请求,其寿数的长短就有很大的差异。别的,环境温度的进步,会致使电池内部化学活性增强,然后发作很多的热能,又会反过来促进周围环境温度添加,这种恶性循环,会加快缩短电池的寿数。

(2)   定时充电放电。UPS电源体系中的浮充电压和放电电压,在出厂时均已调试到额外值,而放电电流的巨细是跟着负载的增大而添加的,运用中应合理调理负载,比方操控核算机等电子设备的运用台数。通常情况下,负载不宜逾越UPS额外负载的60%。在这个范围内,蓄电池就不会呈现过度放电。

UPS因长时刻与市电相连,在供电质量高、很少发作停电的运用环境中,蓄电池会长时刻处于浮充电状况,时刻长了就会形成电池化学能与电能彼此转化的活性下降,加快老化而缩短运用寿数。因而,通常每隔23个月应*放电一次,放电时刻可依据蓄电池的容量和负载巨细确定。一次全负荷放电结束后,按规则再充电8小时以上。

65100.png

行业新闻:

从表中可以看出,IGBT的性能处于功率场效应管MOSFET和达林顿晶体管GTR之间,并且集中了二者的优点。比如,GTR是电流驱动,因此驱动效率低、驱动电路复杂,而MOSFET是电压驱动,因此驱动效率特别高,驱动电路也简单,于是,IGBT就采用了电压驱动方式;器件打开后,MOSFET的饱和压降大,造成功耗大、效率低,而GTR的饱和压降非常低,因此其功耗小、效率高,故IGBT就采用了它的这个优点,等等。所以IGBT一问世就得到了广泛的使用。据东芝公司以前的报导,1200V/100A等级IGBT的导通电阻是同一耐压规格功率MOSFET的1110;开关时间是同规格GTR的1110。一般GTR的工作频率在5kHz以下,MOSFET在30kHz以上,IGBT的工作频率在10~30kHz之间。
  
  3)IGBT的简单工作原理
  
  上述那些优点是如何实现的呢?这个问题可以用图2.19(a)所示的简化等效电路来说明。IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR,图中电阻Rd,是厚基区GTR基区内的调制电阻。它有三个极,分别称做漏极D(Drain)、游、极S(Source)和栅极G(Gate),有的也将栅极称为门极。由这个等效电路图也可以看出,IGBT是以GTR为主导的器件,MOS-FET只是一个驱动器件。图中的GTR是PNP管构成的达林顿管,MOSFET为N沟道器件。因此这种结构称为N-IGBT,或称N沟道IGBT。
  
  IGBT的图形符号有两种,如图2.19(b)所示。图2.19(b)左面表示的是N-IGBT的一种图形符号,它和MOSFET的图形符号基本相似,不同的是在漏极增加了一个向内的箭头,其含义就是注入孔穴。至于P-IGBT的图形符号也类似,只要把原来的箭头方向反转180。就可以了。图2.19(b)右面表示的是N-IGBT的另一种图形符号,在这里漏极和源极的名称被集电极C(Collector)和发射极E(Emitter)所代替。


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