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PT124G-3510系列单晶硅差压传感器采用进口*进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。传感器具有超高过压性能及良好的温度补偿，安装便捷，具有良好的环境适应性，可广泛用于各类工控环境。
单晶硅差压传感器优势：
a.采用进口FST单晶硅MEMS芯片进行封装，产品具有超高精度，zui高可达0.04%FS；
b.具有优异的过压性能；
c.可用于负压力测量；
d.智能静压补偿和温度补偿，环境适应性强；
应用：石油、化工、电力、造纸、钢铁、煤气等
技术参数：
量程 | 3KPa、6KPa、10KPa、40KPa、150KPa、250KPa、3MPa |
额定工作压力 | 2.5MPa、16MP、25MPa、40MPa |
过载 | 150%F.S |
供电电压 | 5V |
信号输出 | 40-200mV |
工作温度 | -50~85℃ |
介质温度 | -50-125℃ |
非线性 | ≤0.1%F.S |
长期稳定性 | ≤0.05%F.S/年 |
温度影响 | ≤0.3%F.S/年 |
静压特性 | ≤±0.1%F.S/10MPa |
长期漂移 | ≤0.05%F.S/年 |
本体材质 | 316 |
膜片材质 | 316L、哈氏合金、钽、镀金等 |
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