发明涉及半导体核辐射探测器使用的光电二极管和*级前置放大器的场效应管。现有的核辐射探测器使用的光电二极管和场效应管为两个部件，固定在同一基板上，彼此连接采用金丝点焊。由于金丝有大约10mm长，其分布电容大约在0.2pf左右。
    本发明将光电二极管和场效应管光刻在同一片硅片上，这样场效应管栅极和光电二极管之间几乎是直接相连，大大降低分布电容，其分布电容大约在0.01~0.02pf。因此该系统因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测器。