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由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，他们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻及电阻率的测量。可用于高校物理教育实验，对导体/半导体/金属薄膜材料的电阻 及电阻率的测试及研究。
产品简介
详细介绍
四探针导体/半导体电阻率测量仪 概述：
DD.13-SB100A/3型四探针导体/半导体电阻率测量仪由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，他们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻及电阻率的测量。可用于高校物理教育实验，对导体/半导体/金属薄膜材料的电阻 及电阻率的测试及研究。本产品的电阻测量范围可达10-6—106Ω。
DD.13-SB100A/3型是由SB118/1型精密电压电流源以及SB120/2四探针样品平台二台仪器构成。
配件技术参数信息：
【SB118型精密直流电压电流源 （详见该产品使用说明书）
直流电流源
a） 电流输出范围：1nA~200mA，输出电压不小于5V；
b） 量程：分五档，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
c） 电流输出的基本误差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA为0.05%RD±0.02%FS。
直流电压源
a） 电压输出范围：5μV~50V，负载电流不小于10mA（20mV以上）；
b） 量程：分五档，20mV、200mV、2V、20V、50V，每档均有粗调和细调；
c） 电压输出的基本误差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
数字电压表（4½LED）利用电压源部分“取样”端可对被测电压进行测试
a） 测量量程 20mV，200mV，2V，20V，200V
b） zui高分辨力 可达1µV
c） 基本误差为 0.03%RD±0.02%FS （20±2ºC）
SB120/2四探针样品平台（详见该产品使用说明书）
为被测薄膜样品，利用四探针测量方式测量导体/半导体样品的电阻和电阻率，提供了方便。