晶体结构：

四方(4mm): 9^oC < T < 130.5 ^oC

a=3.99  ?,  c= 4.04 ? ,

生长方法：

顶部籽晶溶液法(TSSG)

熔点：

1600 ^oC

密度：

6.02 g/cm³

介电常数：

e_a = 3700, e_c = 135 (自由状态)

e_a = 2400, e _c = 60 (夹持状态)

折射率：

     515 nm        633 nm        800 nm

n_o   2.4921        2.4160        2.3681

n_e   2.4247        2.3630        2.3235

透射波长范围：

0.45 ~ 6.30 mm

电光系数：

r^T ₁₃ =11.7 ±1.9 pm/V    r^T ₃₃ =112 ±10 pm/V

r^T ₄₂ =1920 ±180 pm/V

SPPC 反射率

(0度切 )：

l = 515 nm, 50 - 70 % (zui高达到77%)

l = 633 nm, 50 - 80 % (zui高达到86.8%)

二波混频耦合常数:

10 - 40 cm^-1

吸收损耗:

l:   515 nm  633 nm   800 nm

a:  3.392cm^-1 0.268cm^-1  0.005cm^-1