光刻胶的各种物性参数中，粘度值也是一个非常重要的参数，它对指导光刻胶的涂胶至为重要，但是我们在阅读光刻胶的说明文档中往往会发现不同厂家使用不同的粘度单位， 比如cP，mPa·S，cst， 这对我们用户来说对比不同厂家的光刻胶的粘度性质造成了困扰。

光刻胶是一种对光敏感的混合液体，是微电子技术中微细图形加工的关键材料，属于半导体八大核心材料之一，是继硅片、电子特气和光掩模之后的第四大半导体材料。

一、EVG101光刻胶测量简介

研发和小规模生产中的单晶圆光刻胶加工。

EVG101光刻胶处理系统在单室设计上可以满足研发工作，与EVG的自动化系统*兼容。EVG101支持zui大300 mm的晶圆，可配置为旋涂或喷涂和显影。使用EVG先进的OmniSpray涂层技术，在3D结构晶圆上实现光刻胶或聚合物的共形层，用于互连技术。这确保了高粘度光致光刻胶或聚合物的低材料消耗，同时改善了均匀性并防止了扩散。

二、EVG101光刻胶测量技术参数：

晶圆尺寸：高达300mm（12寸）

支持模式：旋涂/ OmniSpray®/生长

晶圆支撑模式：单臂/双EE/边缘/翻动

分配模式：

- 各种分配泵，可覆盖高达52000cP的各种粘度

- 恒压分配系统

- EBR / BSR /预湿/碗洗/液体灌注

三、特征：

晶圆尺寸可达300 mm

自动旋涂或喷涂或使用手动晶圆装载/卸载进行显影

利用从研究到生产的快速简便的过程转换

成熟的模块化设计和标准化软件

注射器分配系统，用于利用小的光刻胶体积，包括高粘度光刻胶

占地面积小，同时保持高水平的个人和过程安全性

多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）

选项：

- 采用OmniSpray®涂层技术均匀涂覆晶圆的高表面形貌

- 用于后续键合工艺的蜡和环氧树脂涂层

- 旋涂玻璃（SOG）涂层